多功能一体化霍尔元件的研制

一、引言近年来,我国磁敏霍尔器件技术发展很快,继硅、锗、砷化铟等霍尔元件研制成功后,我所于1980年又研制成功具有国际先进水平的砷化镓霍尔元件。国外近年来又出现了测温测磁多功能器件,使其在工业控制系统中的用途更加广泛。日本已研制出温度补偿型多功能一体化霍尔元件〔1〕,其霍尔电压温度系数由原来的0.05％/℃改善到0.005％/℃,为设计高精度测磁仪表奠定了基础。我们从1984年9月开展此项工作,经     

GaAs霍尔元件欧姆接触工艺的探讨

本文介绍了GaAs霍尔元件采用Au-Ge-Ni合金直接蒸镀方式,并于450℃合金化后立即冷却而形成欧姆接触的机理,对冷却速度影响欧姆接触的原因提出了自己的看法。     

多用途硫化镉光敏元件的研制

日本莫利里卡公司最近制成了一种多用途光敏元件,这种元件适用于静止卡片读数装置和自动电子秤量装置中。该公司是一家专业生产照相机用硫化镉(CdS)光敏元件的工厂,这项新产品的出现,扩大了硫化镉光敏元件的应用范围。     

“砷化镓霍尔元件制造工艺研究”成果简介

砷化镓霍尔元件以优异的综合性能博得用户的赞识。日本于1972年实现商品化;英国、苏联、美国相继以各种牌号问世。我国于1974年起步研制,沈阳仪器仪表工艺研究所于1979年春在制造技术工艺上有所突破,制造出合格的砷化镓霍尔元件,     

在提高砷化铟霍尔元件灵敏度过程中的几点体会

本文主要叙述了,影响霍尔元件灵敏度的几个因素,以及在制造工艺中应注意的事项。并对霍尔输出极焊点形状及其对灵敏度影响的机理,进行了初步说明。     

用于检测直流大电流的霍尔电流变送器

本文叙述砷化镓霍尔电流变送器的工作原理、特点及设计原则,应用在直流大电流(1000A以上)检测技术中,其线性度好,灵敏度高、响应速度快、体积小、电压隔离性能好、安全可靠及便于与控制系统连接等,较之直流分流器及直流互感器有不可比拟的优点。     

电子式直流电度表用霍尔元件功率传感器

主要叙述了该传感器的工作原理、结构设计及制造工艺;传感器的性能和测试方法等。图6,参9。     

砷化镓霍尔元件研制中的几点改进

本文介绍了在提高砷化镓霍尔元件灵敏度、线性度及温度稳定性等方面所采取的改进措施;设计了新颖的图形,以降低元件的不等位电势及提高线性度,取得良好的结果。     

α-SiC的液相生长及发光

一、前言半导体SiC在热、化学、机械等方面是一种非常稳定的物质,正在进一步研制作为高温、高输出功率用的电子材料。SiC具有很大的禁带宽度及各种多型体而引入注目,随着可见光发光二极管的发展,它正在成为发展全可见光领域发光材料的向往目标。尽管在实际应用方面经过了长期的努力,可是目前仍停留在研究阶段,其主要原因是由于制造晶体的难度很大,迄今虽然用各种生长法制成了晶体,但尚未得到一种纯度高、晶体大的生长方法。此外,多型体的选择及掺杂量的控制也是个棘手的问题。对SiC而言,在3C构造的闪锌矿结构与     

砷化镓霍尔元件的研制

一、前言砷化镓霍尔元件具有温度特性好、稳定性好、灵敏度高,使用磁场范围宽等优点;用平面工艺容易成批生产。所以,自在高阻砷化镓衬底上制得低阻砷化镓外延层以来,该材料在磁电元件领域中的应用发展很快,砷比镓霍尔元件正在发展成为霍尔元件的代表性产品之一。这里介绍的砷化镓霍尔元件是在国外研究的基础上,对制造工艺进一步分析之后,提出了在蒸镀电极金属和进行台面腐蚀时不预先制备二氧化硅掩蔽膜,通过掩膜版和光刻胶膜进行选择性腐蚀的工艺流程,使工艺简化,节省了设备,降低了元件成本。