单晶硅各向异性湿法刻蚀的形貌控制

针对摆式微加速度计的制作,对利用两种添加剂共同修饰的TMAH刻蚀液的单晶硅湿法刻蚀技术及其相关刻蚀特性进行了研究。分析了两种添加剂之间的作用机理及对单晶硅湿法刻蚀的影响,选择合适的添加剂刻蚀液配比,实现了稳定的刻蚀形貌控制。通过两种添加剂的共同作用,获得了具有光滑刻蚀表面(粗糙度约为1nm)和良好凸角保护(凸角侧蚀比率小于0.8)的刻蚀形貌。实验结果表明,在三重溶液(TMAH+Triton-X-100+IPA)下的刻蚀形貌具有明显优势。最后,基于添加剂对疏水性单晶硅材料的作用机理及表面张力调节,表面活性剂和酒精类添加剂之间的相互作用分析了刻蚀形貌发生变化的原因。以典型悬臂梁-质量块的制作为例,验证了采用该单晶硅刻蚀形貌控制方法可以获得微加速度计光滑的悬臂梁表面和无需凸角补偿的完整质量块。相比于其它制作工艺,该方法简单、易操作,有利于提高微机电器件的性能。     

哼唱检索中核心算法的研究及其在系统中的应用

哼唱检索是一种基于内容的音乐检索方法,其中音符音高值的提取算法及旋律匹配算法是本系统的两个核心算法。文章首先介绍了要实现的系统框图,然后分别介绍了三种音符音高值的提取算法及三种旋律匹配算法,最后依据实验结果选取了最为理想的音符音高值的提取算法、旋律匹配算法以及最为合适的哼唱录入时间。     

Au薄膜溅射功率对ZnO/Au复合薄膜质量的影响

在ZnO薄膜上采用不同溅射功率制作了Au薄膜,研究不同溅射功率对Au膜成膜速率、结晶质量和结合力的影响,表明在本实验中100 W功率下Au膜的成膜质量比较好。同时对ZnO薄膜电阻的影响进行了研究,结果表明溅射功率越高,ZnO导通的可能性越大,通过实验,溅射工艺在100 W下制备的Au薄膜对ZnO电阻影响最小。     

新型介离子类杀虫剂二氯噻吡嘧啶的合成

[目的]合成新型介离子类杀虫剂二氯噻吡嘧啶。[方法]分别以2,3-二氯丙烯和2-氨基-3-甲基吡啶为原料经取代、环化和酰胺化等过程合成中间体N-[(2-氯-5-噻唑)甲基]-3-甲基-2-吡啶胺;以3,5-二氯苯胺为原料经重氮化、取代、水解、酸化、氯化后得到中间体2-(3,5-二氯苯基)丙二酰氯;在三乙胺作用下,上述2个中间体反应得到目的产物。[结果]经1H NMR光谱鉴定,产物结构与二氯噻吡嘧啶一致。[结论]该工艺简单经济,条件温和,原料易得,适应工业化生产。     

四唑虫酰胺的合成方法

[目的]改进四唑虫酰胺的合成工艺,提高收率。[方法]以环氧氯丙烷和丙酮为起始原料,经环化、脱卤、加成、氯化、水解等反应生成关键中间体1-(3-氯吡啶-2-基)-3-{[5-(三氟甲基)-2H-四唑-2-基]甲基}-1H-吡唑-5-羧酸。该中间体在甲基磺酰氯的作用下与该路线的另一个中间体2-氨基-5-氰基-N,3-二甲基苯甲酰胺经酰胺化反应最终得到目标产物四唑虫酰胺。[结果]产物结构经核磁谱图得到了验证。[结论]工艺简单,原料易得,产品容易提纯,总收率达26.84%,适应工业化生产。     

声纹技术研究——说话人识别中的分类方法

分类在说话人识别中的应用对于提高系统响应时间有非常重要的作用,对基频和共振峰进行研究,基频可以用于区分男声和女声,依据共振峰的幅值则可以区分成人和儿童,将这种分类方法应用于说话人识别中可以大大缩短识别时间。     

TMAH+Triton中Si湿法腐蚀机理研究现状

在微机电系统(MEMS)领域硅各向异性湿法腐蚀是制作许多元器件的一项重要技术,加入非离子型表面活性剂的腐蚀液可以在硅基片上制作出各种形状,但是对于真正的腐蚀机理还有待进一步研究。介绍了硅湿法腐蚀机理的研究现状,通过不同腐蚀条件下得出的不同腐蚀结果分析其腐蚀机理。介绍了当非离子型表面活性剂加入碱性溶液时固体表面的活性剂吸附层结构,重点介绍了表面活性剂Triton X-100加入各向异性碱性腐蚀剂四甲基氢氧化铵(TMAH)后对活性剂吸附状态和硅腐蚀速率产生影响的根本原因。不同晶向硅表面的H基和OH基数量会影响其表面活性剂的吸附能力,硅在纯TMAH腐蚀液和加入活性剂Triton后的TMAH腐蚀液中的腐蚀速率存在一定差异,高质量分数的TMAH下加入不同体积分数的Triton时,不同晶面在活性剂吸附和腐蚀速率上也存在不同,给出了出现这些现象的机理分析。研究硅腐蚀机理可以为器件设计提供有效的理论支持,有助于制作更多新的MEMS结构。     

低温阳极键合工艺研究

对低温阳极键合特性进行了研究.通过对硅片进行亲水、疏水和表面未处理3 种不同处理方式研究其对键合的影响,键合前将硅片浸入去离子水（DIW）中不同时间,研究硅表面H基和氧化硅分子数量对键合的影响.结果表明经亲水处理的硅片在水中浸泡1 h 的键合效果最佳.并设计了不同烘烤时间下的阳极键合实验,表明在100 °C 下烘烤30 min 可以有效减少气泡的数量和尺寸.由不同工艺条件下得到的键合形貌可知,通过控制硅片表面微观状态可以达到减小或消除键合气泡的目的.