ZnO/BaTiO3纳米复合材料的制备及其发光性质

采用溶胶-凝胶技术制备了ZnO/BaTiO3纳复合材料，用X射线衍射仪（XRD）、透射电子显微镜（TEM）测定了不同温度处理后样品的组成、结构、形貌和尺寸。对复合材料室温下的光致发光谱分析发现，复合材料的发光强度比纯的纳米ZnO发光显著增强；纳米ZnO中氧空位引起的510nm发光带的峰位随着热处理温度的不同而分别出现蓝移和红移现象。其中蓝移主要是量子尺寸效应引起的，而红移则可能与致密化的BaTiO3所提供的高介电场有关。     

ZnO/BaTiO3纳米复合材料的制备及其发光性质

采用溶胶-凝胶技术制备了ZnO/BaTiO₃纳米复合材料,用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)测定了不同温度处理后样品的组成、结构、形貌和尺寸.对复合材料室温下的光致发光谱分析发现,复合材料的发光强度比纯的纳米ZnO发光显著增强;纳米ZnO中氧空位引起的510nm发光带的峰位随着热处理温度的不同而分别出现蓝移和红移现象.其中蓝移主要是量子尺寸效应引起的,而红移则可能与致密化的BaTiO₃所提供的高介电场有关.     

铟镓锌氧化物薄膜晶体管制备及性能研究

为了实现高质量刻蚀阻挡型InGaZnO薄膜晶体管(IGZOTFT)器件,研究了IGZO TFT关键制备工艺,其中重点探讨了IGZO成膜氧分压、退火工艺、IGZO成膜均一性对于IGZO TFT电学特性的影响。通过优化成膜和退火工艺在G6玻璃基板上制作的IGZOTFT器件,阈值电压0.72 V,亚阈值摆幅0.2 V/dec,迁移率9.57 cm~2/V·s,Ion/Ioff10~8,IGZO TFT大基板阈值电压均一性最大偏差小于2 V。最后进行了IGZO TFT长期稳定性测试以及正负偏压应力测试,结果表明IGZO TFT器件经过长时间空气暴露会导致特性劣化,负向偏压应力劣化较为明显。所制备的刻蚀阻挡型IGZO TFT器件可以满足高质量液晶显示的要求。     

10kV变压器铁心剖面参数化绘图设计

在AutoCAD中使用LISP语言二次开发对配电变压器铁心剖面图的参数化设计,通过传入的铁心片宽表与叠厚表数据,程序自动选择绘图比例与图幅大小,并完成铁心剖面图的自动绘制与标注.该工具实现了制图的自动化,提高了机械制图的绘图效率,具有较好的实际使用价值和推广意义.