用射频化学气相沉积法制备p型微晶金刚石薄膜

利用射频化学气相沉积法，通过硼的掺杂，在石英玻璃衬底上生长出Ｐ型微晶金刚石薄膜，范德堡法的测试表明，我们得到的薄膜最小电阻率为４×１０－２Ω．ｃｍ，最大空穴迁移率为５０ｃｍ／Ｖ．ｓ；从电阻率与温度关系近似计算出杂质激活能     

中波碲镉汞/钝化层界面电学特性研究

HgCdTe 表面/界面特性对器件性能具有重要的影响,表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用 Br2/CH3OH 腐蚀液对液相外延（LPE）生长的中波 HgCdTe 薄膜进行表面处理后,使用CdTe/ZnS 复合钝化技术进行表面钝化,制备了相应的 MIS 器件并进行器件 C-V 测试。结果表明,HgCdTe/钝化层界面固定电荷极性为正,面密度为2.1×1011 cm－2,最低快界面态密度为1.43×1011 cm－2·eV－1,在10 V 栅压极值下慢界面态密度为4.75×1011 cm－2,较低的快界面态密度体现出了 CdTe/ZnS 复合钝化技术的优越性。     

原位退火对碲锌镉晶体第二相夹杂缺陷的影响

采用传统布里奇曼法生长碲锌镉晶体,在配料过程中添加适当过量的Cd,并在晶体生长结束阶段的降温过程中加入晶锭原位退火工艺,晶体的第二相夹杂缺陷得到了有效抑制.根据晶体第二相夹杂缺陷的形成机理,结合热扩散理论和碲锌镉晶体的P-T相图,研究了退火温度对晶体第二相夹杂缺陷密度和粒度(尺寸)的影响,获得了抑制碲锌镉晶体第二相夹杂...     

Hg1-xCdxTe外延薄膜表面对红外透射光谱的影响

利用傅里叶红外光谱仪测量液相外延生长的Hg1-xCdxTe薄膜,发现未经腐蚀的原生薄膜材料红外透射光谱经本征吸收后有吸收边倾斜并伴有透射比值偏低的现象.对红外透射光谱的影响因素进行了分析,用扫描电子显微镜、电子探针及轮廓仪对样品表面腐蚀前后进行测试,结果表明腐蚀前后Hg1-xCdxTe薄膜表面(深度约1μm)汞含量和表面平整度的差别是导致这一现象的主要原因.运用带-带尾态之间的跃迁理论及表面散射对这一现象进行了解释.     

热丝辅助等离子体化学气相法生长c－BN薄膜

用热丝辅助射频等离子体化学气相沉积法（ＰＣＶＤ）合成：ｃ－ＢＮ薄膜获得成功。实验结果表明，灯丝温度、反应气压、衬底温度、灯丝与衬底距离对薄膜质量有重要影响。     

非晶碲镉汞薄膜的暗电导与光电导

This paper reports the dark conductivity and photoconductivity of amorphous Hg_(0.78)Cd_(0.22)Te thin films deposited on an Al_2O_3 substrate by RF magnetron sputtering.It is determined that dark conduction activation energy is 0.417 eV for the as-grown sample.Thermal quenching is absent for the as-grown sample during the testing temperature zone,but the reverse is true for the polycrystalline sample.Photosensitivity shows the maximum at 240 K for amorphous thin films,while it is higher for the as-grown ...     

碲锌镉晶体组分的辉光放电质谱分析

碲锌镉(Cd1-yZnyTe,CZT)被认为是当今红外焦平面探测器材料碲镉汞(Hg1-xCdxTe,MCT)的最佳衬底,研究亦表明[1]:CZT还是核能探测、天文射线研究、工业探伤诊断中X射线、λ射线探测器的优异材料.     

辉光放电质谱法中干扰峰的分析研究

As a direct solid sampling technique, glow discharge mass spectrometry(GD-MS) has been widely applied to the trace and ultra trace element analysis of conductors and semi-conductors. By the use of various kinds of the information of the interferences in the analyzing solid sample, combining with the working principle of GD-MS. we analyzed and recognized matrix in the tested sample messages to obtain more complete sample signals and more reliable analyzing results.     

长波碲镉汞变面积二极管器件

采用不同钝化工艺制备了一系列具有不同P/A比的变面积光电二极管器件.在77~147 K温度范围对器件R_0A和1 000/T关系进行了分析,结果表明在该温度区间器件暗电流主要以扩散电流占主导.对器件的R_0A分布进行了研究,77 K下HgCdTe薄膜内的体缺陷及非均匀性对器件性能产生了重要的影响;127 K下由于体扩散电流增加,缺陷对器件的作用显著弱化.77 K和127 K下器件R_0A随P/A比增大而减小,表明表面效应对器件具有重要的影响.基于Vishnu Gopal模型对器件1/R_0A值和P/A关系进行了拟合分析,证实了器件存在较大的表面漏电现象,且通过表面钝化工艺的改进,有效减小了表面效应对器件性能的影响.     

离子注入对分子束外延Hg_(0.68)Cd_(0.32)Te远红外振动模的影响

我们对用分子束外延（ＭＢＥ）技术生长出的Ｈｇ０．６８Ｃｄ０．３２Ｔｅ薄膜进行了Ｎ离子注入并退火,分别得到了其室温喇曼散射谱及在不同温度下的远红外透射谱．喇曼散射谱可以观察到类ＨｇＴｅ的ＬＯ模的散射和ＴＯ模的散射,原生样品及离子注入样品在９３ｃｍ－１附近有较弱的散射峰,经离子注入后该峰消失;远红外透射谱中分别可以观察到７８ｃｍ－１（Ｘ）、８６ｃｍ－１（Ｉ１）、９３ｃｍ－１（ＬＡ）、１０４ｃｍ－１（Ｐｄ）以及１２１ｃｍ－１（ＴＯ２）、１４３ｃｍ－１（ＴＯ１）、１５６ｃｍ－１（ＬＯ１）等吸收峰,讨论了离子注入及