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氧氩比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:1
探讨氧氩比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响。利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能。随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射峰的强度有所提高,说明薄膜的结晶质量有所改善,衍射峰略向θ角减小的方向移动。随着反应气氛中氩气含量的增多、氧气含量的减少,ZnO薄膜的方块电阻明显减小,说明薄膜的电阻率随反应气氛中氩气的增加而明显减小。 相似文献
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"计算思维"概念的提出在全球范围内引起广泛关注,如何培养学生的计算思维和创新能力是大家普遍考虑的问题。文章针对计算机科学与技术专业的理论课程设置和实验教学提出一些思考和建议。 相似文献
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