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研制了直流电弧等离子体球化U3 Si2 粉体装置。在Ar He气氛下对粒度为 1 0~ 1 5 0 μm范围内不规则形状的U3 Si2 粉体进行了球化。球化率达 90 %。  相似文献   
2.
研制了直流电弧等离子体球化U3 Si2 粉体装置。在Ar+He气氛下对粒度为 10~ 15 0 μm范围内不规则形状的U3 Si2 粉体进行了球化 ,球化率达 90 %。  相似文献   
3.
针对激光制造系统的发展要求,提出了一种开放式集成激光制造系统,该系统将激光器控制模块、测量模块、机器人模块和计算机控制模块等进行集成,采用模块化设计方法,各模块功能独立,实现了主控计算机对各控制模块的协调控制.其中激光器由PROFIBUS-DP现场总线控制,机器人由运动控制器控制.解决了传统激光制造系统结构封闭,专用性强,难于实现柔性化制造的难题.通过实际应用,进一步证明了该系统的开放性和可控性.  相似文献   
4.
直流电弧等离子体球化U3Si2粉体   总被引:3,自引:1,他引:2  
研制了直流电弧等离子体球化U3Si2粉体装置,因Ar He气氛下对粒度为10-150μm范围内不规则形状的U3Si2粉体进行了球化,球化率达90%。  相似文献   
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