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研究了不同界面修饰层对酞菁氧钒(VOPc)薄膜晶体管性能的影响。通过AFM图谱分析不同界面修饰层上VOPc薄膜的生长行为,通过半导体参数测试仪测试分析不同界面上器件的电学特性。实验结果表明,十八烷基三氯硅烷(OTS-18)修饰后生长的VOPc薄膜,比正辛基三氯硅烷(OTS-8)和苯基三氯硅烷(PTS)修饰后的薄膜晶体尺寸更大、质量更优;基于OTS-18修饰的底栅顶接触型VOPc有机薄膜晶体管,在4种结构器件中具有最高的场效应迁移率(0.51cm2/V·s),相对于未修饰的器件迁移率提高了近40倍。较长的烷基链能够有效地隔绝VOPc分子和二氧化硅之间的相互作用,利于形成大晶粒尺寸、少缺陷的优质薄膜,获得高迁移率的TFT器件。绝缘层表面自组装单分子层的厚度对其上薄膜的生长行为和相应器件的性能影响极为明显,这一结论对有机半导体薄膜生长和器件制备具有指导意义。 相似文献
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随着经济的快速发展和和谐社会的构建,我国的水利水电工程的得到了飞速的发展,在进行水利水电施工过程中,施工单位经常会应用带滑膜技术,这种施工技术具有投资成本低、施工方便、施工速度快等优点,文章重点介绍了水利水电施工中滑膜技术的应用。 相似文献
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微通道板输入端的电场分布影响光生电子的运动轨迹和近贴型像增强器的性能。由于微通道板内大量的微通道孔使微通道板和光阴极之间的电场分布复杂化,为此本文采用有限元仿真分析软件Ansoft Maxwell 3D模拟并建立了微通道板结构和像增强器中微通道板输入端电场分布的关系模型。根据电场模拟结果分析了微通道板中不同孔径直径、孔径间距、微通道板孔的倾斜角及扩口情况对通道板输入端处电场分布情况的影响。同时讨论了电场分布变化对光生电子的运动轨迹及分辨力的影响。这项研究对高品质的微通道板的制备提供了理论基础。 相似文献
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框架结构以其空间布置灵活、施工方便成为近年来多高层建筑结构常采用的一种结构形式,框架结构在水平荷载作用下如何准确、快速地计算其内力是结构初步设计常要解决的问题.将框架结构逐层分解为连续梁来计算其内力,力学概念清晰,计算过程程式化,是一种较为精确的算法,由于计算结果的精确性,因而是判断电算结果的一种可靠方法. 相似文献
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设计了电子倍增层的多种表层结构,并模拟分析了表层掺杂分布对电子轰击型CMOS(EBCMOS)成像器件的电荷收集效率的影响。结合离子注入工艺优化设计电子倍增层表层结构,并利用离子注入模拟软件TRIM模拟分析了不同掩蔽层种类、厚度、离子注入剂量、注入角度和注入能量次数对掺杂分布的影响。再依据载流子传输理论并结合蒙特卡洛模拟方法,模拟分析了相应结构下EBCMOS中电子倍增层的电荷收集效率。模拟研究结果表明:通过选择SiO2作为掩蔽层、减小掩蔽层厚度、增加注入能量次数等方法可以提高电荷收集效率。在注入剂量选择方面,对电子倍增层表层进行重掺杂,使掺杂浓度下降幅度足够大、下降速度足够缓慢,也可以有效提高电荷收集效率。仿真优化后表层结构所对应器件的电荷收集效率最高可以达到93.61%。 相似文献
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研究了 4,4,4"-三(苯基(间甲苯基)氨基)三苯胺(m-MTDATA)薄膜形貌对紫外光电探测器稳定性的影响.在不同界面上制备m-MTDATA薄膜,利用原子力显微镜分析形貌,并在此基础上制备了相应的紫外探测器.通过光谱响应测试系统研究不同器件的光响应度,并对器件的稳定性能进行了测试.通过原子力显微镜表征表明ITO/PEDTO:PSS衬底上m-MTDATA形成全覆盖薄膜仅需较低的厚度,修饰层改善了 ITO界面的平整性以减少其表面的缺陷,提高了阳极对空穴的收集能力.并且使有机小分子活性层的晶粒更加稳定,抑制了紫外光的持续照射而引起的界面老化的问题,从而提高了器件的稳定性. 相似文献
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对P型基底均匀掺杂的情况下电子轰击有源像素传感器(EBAPS)的电荷收集效率进行了理论模拟研究,依据低能电子与固体的相互作用模型结合Monte-Carlo计算方法模拟了光电子入射到死层和倍增层中的运动轨迹,并分析了经过死层后的能量损失率所受影响因素;依据半导体理论研究了P型基底掺杂浓度、膜厚、入射电子能量对电荷收集效率的影响因素。最终获得的电荷收集效率理论模拟结果与已报道的(4 keV,均匀掺杂的EPAPS)实测的结果较为相符,表明此文的模拟结果可以为高增益的EBAPS的制作提供理论指导。 相似文献