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通过对40CrNiMo光滑与三种不同缺口状态的试样进行试验发现,氢对材料强度的影响与外加应变速率的大小有关。在空气中试验,缺口状态对材料断裂强度几乎无影响;而在氢气中试验,则发现缺口根部半径R的变化对材料断裂强度影响极大;当缺口根部半径一定,仅改变外径D或缺口处最小直径d所得两种缺口状态对缺口强度的影响不大。 相似文献
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p—型FeSi2/Bi2Te3梯度热电材料的优值推证与界面温度优化 总被引:3,自引:0,他引:3
通过对两元 p-型梯度热电材料 Fe Si2 / Bi2 Te3界面温度的建模计算与实验验证 ,在固定热冷端温区内积分得出的 Z- ΔT值与界面温度 Ti 的关系曲线为 :Z- ΔT =0 .6 72 +11.7× 10 - 4Ti - 1.31× 10 - 6 T2i - 3.4 9× 10 - 9T3i该关系可用来表征两元梯度结构的热电性能。从拟合曲线上得出该梯度结构的最佳界面温度为 2 2 0℃~ 2 30℃ ,这与实验测出两单段材料 (Fe Si2 ,Bi2 Te3)长度比为 10∶ 1左右时所形成的界面温度较为接近。通过测试不同长度比的材料输出功率 ,也发现 10∶ 1梯度材料的最大输出功率较大 ,是相同温差下单段 β- Fe Si2 材料的 2倍~ 2 .6倍。 相似文献
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采用放电等离子火花烧结法(SPS)制备四元ZnxBi0.5Sb1.5-xTe3(x=0.05~0.4)(摩尔分数,下同)合金,得出当Zn的量为0.05时,材料的电导率出现最大值,室温附近其值为2.5×104Ω-1·m-1,大约是三元Bi0.5Sb1.5Te3合金的1.35倍.在同温度下,功率因子p值也取得最大值(1.65×10-3W·m-1·K-2),而三元Bi0.5Sb1.5Te3合金的功率因子p值为1.35×10-3W·m-1·K-2.在该合金中用Zn替代Sb元素后,合金的微结构逐渐随Zn的含量发生变化. 相似文献
4.
采用放电等离子烧结法(SPS)制备了四种不同Zn含量的GaSb热电半导体(分别是GaSb,Zn0.9Ga2.1Sb2,ZnGa2Sb2和Zn1.1Ga1.9Sb2),并分析研究其热电性能。结果表明:加Zn后虽然GaSb的Seebeck系数大幅度降低,但电导率提高了约两个数量级,热导率也得以降低,最终热电性能明显提高。在713K时Zn1.1Ga1.9Sb2的最大ZT值达到0.11,比本征GaSb的ZT值提高了近6倍。 相似文献
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对在空气中2(1/4)Cr-1Mo钢的短裂纹低周疲劳扩展特性进行研究发现,短裂纹的扩展行为与长裂纹有着相似的三个阶段,并有三个方程分别与之对应。经方程da/dN=c(ΔJ)n计算得到,临界裂纹扩展门槛值ΔJth564×10-6MN/m。SEM断口分析表明,三个阶段的短裂纹扩展特性各不相同。 相似文献
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对双相不锈钢耐点蚀性能继续加以研究发现,随含氮量增高,点蚀引发及引发后向基体方向深入矿展的阻力增大,用X射线能谱分析其两相成分得出,文献(1)所报道的关于随N的增加,蚀孔从原来的γ相转移到α相这一事实是基于两相内的含元素Cr,Mo,Ni随含N量变化而发生有利于γ相的重新分配之故,并且两相中含N量子与合金元素之间有如下关系;在α相,Cr%=25.983+5.475N%,Ni%=5.47-3.53N% 相似文献
8.
α-In2Se3是一类A2ⅢB3Ⅳ型宽带隙半导体材料。但在α-In2Se3化合物中共掺杂适量的Cu,Te后发现禁带宽度(Eg)变窄,Eg值由本征态时的1.32eV减小到1.14eV。掺杂后电学性能得到了大幅度的改善。最大功率因子由0.7610-4增大到2.810-4W·m-1·K-2;最大热电优值(ZT)从本征态时的0.25提高到0.63。高分辨电镜(HRTEM)观察结果表明,在未掺杂时,α-In2Se3呈现非晶状组织,共掺杂Cu,Te后,微结构则转变成明显的多晶组织。在温度高于500K时,掺杂后晶格热导率的适量提高与该微结构转变有直接联系。 相似文献
9.
InSb单晶材料具有相当高的载流子迁移率,因而有良好的电学性能。本文采用缓慢凝固技术制备出In-Sb-Ge三元合金,并在320K到706K的温度范围内测量其热电性能。显微结构观察表明,In-Sb-Ge三元合金的微观组织由嵌入含锗相的锑化铟相组成,这一结果与X射线衍射分析的结果相符。性能测试表明,其晶格热导率在整个温度范围内都非常低,尤其在低温下更低,而载流子热导率随温度的升高,从6.3(W.m-1.K-1)降低到2.4(W.m-1.K-1),在热传输过程中起主要作用。在708K时In10Sb10Ge合金的最高ZT值为0.18。 相似文献
10.
在微波作用下利用MgH2 、纳米 Si粉 、Sn粉和Bi粉进行固相反应,结合电场激活压力辅助合成法(FAPAS)制备了高纯Bi掺杂的Mg2Si1-xSnx(0.4≦x≦0.6)基固溶体热电材料,并对其微观结构和热电性能进行了表征。研究结果表明,MgH2替代传统原料Mg粉显著降低了固相反应温度且防止了Mg的挥发和氧化,同时微波快速低温加热有效抑制晶粒长大,可获得平均晶粒尺寸为200nm的高纯产物。在300-750K的温度区间对样品热电性能进行测试,结果表明细小的片层固溶体组织和Bi的掺杂有效降低了样品热导率,同时改善了其电性能,在600K时,含1.5at%Bi的Mg2Si0.4Sn0.6热电材料具有最大ZT值0.91。 相似文献