液晶面板PI层电荷累积和释放过程分析

液晶显示器的聚酰亚胺配向层(Polyimide,PI)电荷累积过程属于凝聚态物理的电介质理论范畴,由于电介质物理理论还不够完整,造成液晶显示器PI层电荷累积和释放过程机理不甚清晰。文章应用麦克斯韦方程组分析液晶PI层表面电荷累积过程,应用可将快慢效应分开的时域谱学理论分析慢电荷的释放过程,得出液晶面板PI层和液晶层接触面电荷累积与两者的介电常数和电导率的关系,以及累积慢电荷的释放时间常数与PI层厚度的关系。     

衬底温度对制备出CNT膜的影响

在陶瓷衬底上通过磁控溅射方法镀上金属钛层,用含铁杂质的氧化硅对钛层进行抛光,通过微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法在不同的温度下短时间里制备出CNT膜。利用扫描电子显微镜、拉曼光谱,X射线衍射,分析了薄膜的结构和表面形貌。仔细研究不同温度下制备的CNT膜,得出衬底温度400℃时制备的碳膜是以非晶碳为主,600℃时置备的碳膜是良好的碳纳米管膜,800℃制备的碳纳米管膜的缺陷变得很多,以碳纳米链为主。最后得出了温度对催化活性有很大影响的结论。     

玻璃上低温沉积碳纳米管薄膜及其场发射研究

本文从事的研究是碳纳米管(CNT)薄膜的制备及场发射效果分析。在普通玻璃衬底上用磁控溅射方法镀上金属钛层,用含铁杂质的碳化硅微粒对钛层进行抛光。利用微波等离子体化学气相沉积法,在小于500℃衬底温度下快速制备出CNT膜。通过扫描电子显微镜、拉曼光谱,分析了薄膜的表面形貌和结构特性。通过二级管结构测试了聚晶膜的场致电子发射特性,对于制备的碳膜,在电场?时,最大场发射电流密度达?。并对其发射机理进行了研究。     

金刚石薄膜的形成及其场发射特性研究

研究了金刚石聚晶碳膜的生长过程,以及不同生长阶段碳膜的场发射性能。通过磁控溅射法在陶瓷上镀一层金属钛作为制备碳膜的衬底,将衬底放入微波等离子体化学气相沉积腔中,经过不同的沉积时间制备出一系列的碳膜。利用SEM、Raman光谱仪、X射线衍射仪等仪器,对碳膜进行了形貌与成分分析,最后利用二极结构场发射装置,测试了碳膜的场发射性能。着重讨论了金刚石聚晶碳膜生长过程中的变化,并且对金刚石聚晶碳膜的场发射机理进行了深入研究。     

晶体二极管开关转换过程分析

晶体二极管结构决定了其开关特性,在脉冲信号作用下晶体二极管由导通到截止和由截止到导通的转换过程会产生时间上的延迟,为了清楚观察输出信号开关随输入信号开关时间上的延迟,在开关电路中需要输入一定幅值、周期的脉冲信号。通过实验可以清楚直观地观察到二极管开关转换过程时间的延迟,进一步加深对晶体二极管开关特性的理解和认识。     

端齿盘的加工

(一)工艺流程一、常州机床厂加工端齿盘的工艺端齿盘加工工艺流程袭┏━━━━━┳━━━━┳━━━━━┳━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━┳━━━━━━━━━━━━━━┓┃材料 ┃序号 ┃工艺路线 ┃ 技 术 要 求 ┃ 目 的 ┃┣━━━━━╋━━━━╋━━━━━╋━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━╋━━━━━━━━━━━━━━┫┃ ┃ 1 ┃ 锻坯 ┃ 正火 ┃ ┃┃ ┃ ┃ ┃ ┃细化晶粒,消除内应力, ┃┃ ┃ ┃ ┃ ┃改善切削条件 ┃┃ ┣━━━━╋━━━━━╋━━━━━━━━…     

实现多机床同步运行的短暂停留离合器

短暂停留离合器在可控超越离合器基础上演变而来。通过周期性脉冲信号控制,可实现50～60毫秒的停留。利用它可实现由普通三相交流异步电机驱动的单机同步运行。运行特点:被控制机(转一转,停一停),清除不同步因素。     

生产端面齿盘定位鼓轮机床的几点体会

我厂和大连组合机床研究所三结合设计了一种端面齿盘定位的鼓轮式组合机床,(CZ—U1245、CZ—U1248),它够能适应中小零件两面或三面同时加工,经试切削证明其性能好、精度高、结构简单,现已交付第二汽车制造厂使用。下面谈谈CZ—U1245机床简况和我厂生产回转鼓轮的几点体会。     

微米金刚石薄膜的制备与场发射研究

利用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法,在镀金属钛层的陶瓷基底上面,调整优化沉积参数,制备出了碳膜。通过各种仪器分析了碳膜的内部结构和表面形貌,证明该碳膜是微米金刚石薄膜。进一步将微米金刚石薄膜作为场发射阴极材料,测试了其场致电子发射特性。稳定发射状态下的开启电场为1.15V/μm, 在3.35V/μm的电场下,其场发射电流密度为0.81mA/cm2,发射点密度约为104/ cm2。并对其发射机理进行了研究。     

基于PSpice的硅型光伏电池电特性仿真研究

采用PSpice元器件库中已有元器件直接搭建硅型光伏电池的仿真模型,通过软件仿真研究光伏电池组件的I—U特性和P—U特性,并利用该模型对影响光伏电池输出特性的辐照度、等效串并联电阻等主要因素进行了仿真研究。仿真结果表明该仿真模型能够在较高的近似程度上方便地模拟实际光伏组件特性,为将PSpice软件用于硅光伏发电系统的仿真提供了可能。