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一、引言GaP是与GaAs相类似的Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物。它在集成电路,发光器件,阴极等方面有着广泛的应用。对GaAs表面吸附已有了大量的研究。而对GaP表面的研究较少。本文报导用热脱附方法对GaP(111)面氧的吸附性质进行的研究。 相似文献
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本文介绍了在低温下运用LEED、AES和UPS研究硝基甲烷在Cu(111)表面的吸附成键和取向。AES和UPS的结果显示了硝基甲烷是以分子形式吸附在Cu(111)表面。随着硝基甲烷暴露量达2L时,与清洁铜表面相比功函数变化有最小值-0.75eV左右。暴露量再增大,功率数略增加,其变化值为-0.5eV。紫外光电子谱表明硝基甲烷是通过其前线轨道氧的2p电子与铜表面的d电子相互作用而产生吸附作用。 相似文献
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张训生 《真空科学与技术学报》1989,(4)
一、引言角分辨光电子谱作为表面电子结构研究的有力工具,是人们熟知的。由于光电子从邻近原子的散射而引起的终态相干性,使人们预计从角分辨光电子谱中也包含有表面结构的信息。1974年,Liebsch从理论上预言了这种相干作用,并认为在实验上是可观 相似文献
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利用紫外光电子谱,对Na、O在n型GaAs(100)-(4×1)表面吸附及共吸咐作了详细研究。结果表明:随着GaAs(100)表面Na覆盖度的变化,其表面呈现不同的能带弯曲。当Na的覆盖度很低时(通常认为θ≤0.02ML).n-GaAs(100)表面能带向下弯曲量达0.3eV。但随着覆盖度的增加,最后费米能级钉扎在价带顶以上0.8eV处。另外,O在n-GaAs(100)-(4×1)表面吸附。暴露量达10~5L时,导致了向上0.2eV的能带弯曲。如果在吸氧的表面继续蒸Na,则其费米能级钉扎在价带顶以上1.0eV处。同时还可看到,由于Na存在,O_2在n型GaAs(100)-(4×1)表面有粘附系数将大大地提高。 相似文献
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采用X射线光电子谱(XPS)及紫外光电子谱(UPS),对经5keV Ar~+离子轰击后的n-GaAs(100)表面及其Na/GaAs(100)界面作了详细的研究。并且和Na/n-GaAs(100)-(4×1)界面进行比较,以揭示Ar~+离子轰击对金属/n-GaAs(100)界面的影响。结果表明,经5keV氩离子轰击后的n-GaAs(100)表面,其功函数较n-GaAs(100)-(4×1)表面大0.3eV。而且,Na在低覆盖度时(θ≤0.02ML)。轰击后的GaAs(100)表面,Na/n-GaAs(100)界面费米能级移动量为0.7eV,而Na/n-GaAs(100)-(4×1)界面,其费米能级移动量仅为0.3eV。 相似文献
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Si(001) surface is a more important surface for pratical application, but the study of metal-semiconductor interfaces on this surface is much less than on Si (111) surface. In this paper, the initial formation of the Ag/Si (001) interface is investigated by LEED, AES and UPS using He lamp. Results on room temperature adsorption of Ag on Si(001)(2×1) surface show a LEED pattern unchanged from the clean surface until gradual blurring. Being relative to the pure metal Ag, a shift and the shape of the 4d peak of Ag apprpted on Si (001) indicate that Ag/Si(001) is consistent with 2D island formation. With iacreasing coverage, the 4d peak shifts toward E while the second peak develops and thus intermixing Ag and Si atoms are formed. 相似文献
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150K的低温下,NO在清洁的Ru表面的吸附,HeⅡ-ARUPS显示在Ef以下9.3eV(5σ+1π)和14.6eV(4σ)处有两个峰,表明NO在Ru表面上是分子吸附。NO-4σ峰强度随HeⅡ光入射角的变化说明NO分子是倾斜地吸附在Ru表面上,其倾斜趋向于原于间距较大的〈0001〉力位。对于NO在Cs/Ru表面的吸附,ARUPS测得在Ef以下6.2,9.2,11.1,12.4和14.9eV处有五个峰,与N2O气侧的UPS谱比较,认定它们是N2O,NO共存的结果,表明NO在CS/Ru表面上分解后可形成N2O分子的吸附。 相似文献