新能源商用车强磁环境场景抗干扰研究

基于某新能源商用车在强磁环境下的运行情况,开展了新能源商用车整车及系统的抗电磁干扰性研究。通过实际场景测试,找出了新能源商用车在强磁场环境下出现动力失效状态的原因。利用硬件改制及软件变更等方式对新能源商用车进行改进,经回归测试验证,试验样车向前行驶开向通道弱磁及强磁区域位置时,制动驻车后切换为N档,拉起手刹,打开所有电子电器功能,间隔20 s后,切换R档,换挡动作后仪表显示挡位切换存在1 s延迟时间,所有电子电器件均运行正常,油门信号与制动信号不再冲突,车辆按请求扭矩行驶,输出扭矩>0,挡位切换正常。研究结果表明,通过屏蔽整车的高低压控制器和线束,以及通过软件调整制动信号控制逻辑后,新能源商用车在强磁环境下的抗电磁干扰性增强,整车在强磁环境下运行正常。     

一种对称极化掺杂增强型高压GaN HFET

针对传统AlGaN/GaN HFET击穿电压远低于理论值,以及阈值电压与开态电流之间存在制约关系的问题,提出一种对称极化掺杂增强型高压GaN HFET。采用Al组分对称渐变的AlGaN势垒层,因极化梯度分别在正向渐变AlGaN层和逆向渐变AlGaN层中诱导产生了三维电子气(3DEG)和三维空穴气(3DHG)。利用3DHG,阻断了源极与3DEG之间的纵向导通沟道,实现了新的增强型模式。同时,正向渐变AlGaN层的高浓度3DEG显著提升了器件输出电流。器件关断时,极化电荷形成的极化结有助于耗尽漂移区,优化了电场分布,提升了器件耐压。与传统AlGaN/GaN HFET相比,新器件的击穿电压从39 V提高至919 V,饱和漏电流提升了103.5%。