CMP后清洗技术发展历程

从80年代开始,结合当时最具代表性的CMP设备,分析当时的后清洗技术,如：多槽浸泡式化学湿法清洗、在线清洗、200mm集成清洗、300mm集成清洗及20nm以下的CMP后清洗趋势,每种后清洗技术都结合CMP设备明确分析其技术特色,优点和缺陷。全面阐述CMP工业界的后清洗发展历程。     

CMP大盘结构研究

在CMP设备中,大盘的整体性能直接影响抛光后晶圆的表面质量和整体面型精度.分析了三种大盘的受力结构,选择应用交叉圆锥滚子轴承的结构为最优.给出了抛光大盘的陶瓷台面的温度控制水道的三个分布模式.     

CMP承载器背压发展历程

随着集成电路(IC)技术节点越来越严苛,对晶圆的局部和全局平整度提出了越来越高的要求,化学机械抛光技术(CMP)是满足晶圆表面形貌的关键技术。承载器是C MP设备的关键部件,通过研究历代承载器的背压施加方式和区域压力控制方式对晶圆表面全局平整度的影响,发现随着技术节点的提高,承载器施加越来越多路背压且背压控制精度越来越高。因此,国产CMP设备为了满足集成电路的严格要求,其承载器必须具备施加多区域背压,且控制精度越来越高。     

微尺度缝针自动夹持器的设计

根据角膜缝合手术的特点,并结合微尺度缝针自动夹持器的技术要求,文中对一种自动夹持器的结构进行了设计。通过赫兹理论讨论了两圆柱体间的接触问题,并利用有限元分析方法对夹持器模型进行了分析,取得了缝针在不发生塑性变形条件下,夹持器直线运动关节的极限位移,为夹持器的控制提供了依据。最后进行了夹持器夹持缝针的试验,试验结果验证了这种夹持器的可行性和实用性。     

化学机械抛光设备关键技术研究

化学机械抛光（CMP）技术作为目前唯一可提供在整个晶圆片上全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到了半导体领域。介绍了CMP技术原理、晶片夹持、抛光台温度控制、抛光垫修整、终点检测、抛光后清洗等技术以及未来对国内CMP设备的展望。     

CMP设备中抛光垫修整机构的研究

介绍了一种新型抛光垫修整机构的功能、结构及运动原理,通过理论计算给出了修整力的计算公式,并介绍了一种原理简单,操作方便的气动控制系统。在工艺试验过程中,充分证明了其结构原理及控制系统的合理性,进而在理论和实践两个方面确定了该机构已达到设计要求。