封装键合点对IGBT UIS失效的影响研究

为了解决绝缘栅双极型晶体管在实际应用当中的典型关断失效问题,对其在电感无钳位开关条件下的电压应力、电流应力、雪崩能力以及失效模式进行了研究。基于电感无钳位开关测试电路,着重探讨了UIS条件下IGBT的击穿机理。封装打线时将铝线分别键合于多个IGBT芯片发射极的不同部位,并基于自主搭建的测试平台,对该批初步封装的IGBT芯片进行了电感无钳位开关条件下的应力测试。最后提出了封装改进建议,避免封装键合点对于IGBT UIS失效的影响。实验结果表明:封装焊线在IGBT发射极金属所引入的横向电阻会导致IGBT芯片的并联元胞等效电阻不均匀,并使电流更易集中于封装键合点附近,最终导致IGBT芯片在UIS条件下的失效点均位于铝线键合点附近。     

碳化硅功率器件技术综述与展望

碳化硅(silicon carbide,Si C)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,Si C器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同Si C器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶体管、金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管及门极可断晶闸管器件,并对比分析器件结构及参数性能,针对关键问题展开论述。最后,对SiC器件近年的发展进行总结和展望。     

三言两语记

好心人和好心事总是有的,但最好的事还主要靠自身的能力和努力办;回报好心人的最好的事是把自己的事办好,并在此基础上回报。要想保持旺盛的运能,必须保持必需的休整。良性循环,不仅表现为付出、劳作……也表现为吸纳、休作……透支可以有些,但不能常有。透支过度下的循环,无所谓良性循环。一旦喘不过气,那     

三言两语记

忽视别人是一种错误,轻视自己也是一种失误。人需要尊重和被尊重。事需要看重和被看重。情需要珍重和被珍重。缘需要注重和被注重。天地很宽,不要自己容不下自己。舞台很大,不要自己埋没了自己。自重才能稳如泰山,互重才能坚如磐石。     

基于分级延迟的宽带相控阵天线研究

由于色散效应和孔径渡越效应的存在,传统相控阵天线本质上是一种窄带系统。为了解决这一问题,实时延迟在相控阵天线设计中得到了广泛的应用。提出了一种分级延迟的方案来改善天线阵列的瞬时宽带性能。首先简要介绍了分级延迟方案扩展带宽的原理,然后通过仿真设计对子阵级延迟和分级延迟方案下天线宽带性能进行了讨论和对比分析,最后通过试验测试天线的典型宽带性能,对偏离中心频率1.5 GHz,方位/俯仰扫描60°的波位,采用分级延迟方案后和子阵级延迟相比,实测指向误差由1.24°/1.63°降低至0.47°/0.24°,证明该分级延迟方案极大地提升了天线的瞬时带宽,并具有良好的工程实现性。     

基于塑性材料模型的滚动轴承有限元分析

重载滚动轴承是一种广泛应用于大型机械操作设备中的零件,其内部的高应力状态对轴承的寿命有着重大的影响。在ANSYSLS-DYNA环境下通过建立滚子轴承的多体动力接触有限元模型,通过选用双线性等向强化模型和双线性随动强化模型这两种不同的材料塑性变形模型,计算不同变形本构关系材料模型的低速轴承在两种工况下中的应力状况。之后将计算结果与前人工作中采用的线弹性材料模型的方法所得出的结果相比较,研究塑性变形对轴承内部应力计算产生的影响,对改进重载轴承的设计具有指导作用。仿真结果表明,采用塑性材料模型建模计算出的应力值较弹性材料模型的计算结果小,选用不同材料模型对运转的卡死时间也有较大的影响,从而在计算出的轴颈下沉量中,弹性材料模型的结果要远小于塑性材料模型的结果。