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利用理论模拟方法计算XeCl准分子激光器的激光输出特性,用正交设计方法选择激光器的泵浦电源参数,通过优化分析寻找到了几种可行的最佳泵浦电源参数组合. 相似文献
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采用球磨法制备Fe/Al2O3纳米复合物,并在氩气保护下退火,研究了退火对Fe/Al2O3纳米复合物的微观结构、磁性和微波吸收性能的影响。结果表明,退火使样品的晶粒尺寸增大,缺陷减少,微观应力得到释放;同时,退火使Al2O3的缺陷发光峰强度明显减弱,398 nm和484 nm处的发光峰发生蓝移。厚度为7.7 mm的球磨样品,其反射损耗在15.5 GHz频率处达到最大值-11.4 dB。退火使样品的介电损耗和磁损耗均增大,电磁波吸收性能明显提高,厚度为6.4 mm时反射损耗在17 GHz频率处达到最大值-35.5 dB。 相似文献
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离子束混合制备非晶Sm-Fe-Zr合金薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
采用离子束混合技术制备非晶Sm—Fe-Zr合金薄膜,在Sin的含量为x=400,300,200m/g的Sm—Fe多层薄膜中,注入能量为60KeV,剂量为1×1017ion/cm2的Zr+,研究非晶形成条件及合金薄膜的磁性能.实验发现:三种成分配比的样品在Zr+注入后磁性能皆发生明显的变化.X=400mg/g样品没有形成非晶,其主相为SmFe5;x=300,200mg/g样品形成非晶,且x=200mg/g样品晶化后形成一个面心结构未知相和α—Fe相 相似文献
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设计SiO2/TiO2一维光子晶体,利用琼斯矩阵理论,模拟分析其禁带特性。结果表明:光子禁带随光子晶体介质厚度比的增大而加宽,且往长波方向移动;光子禁带不受光子晶体周期数的影响。根据理论模拟得出的最佳参数制作了应用于光通讯波段的一维光子晶体带阻滤波器,并测量了该光子晶体的光子禁带,实验结果与理论模拟一致. 相似文献
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N*-Sc*相变序铁电液晶器件具有半”V”字形电光特性,可实现连续灰度.并且自发极化值小、视角宽、响应时间为μs量级,适合TFTr-LCD,但控制层排列困难.针对此缺点,实验中通过分析直流电压对铁电液晶器件层排列的影响,测量了器件电光特性,提出了N*-Sc*相变序铁电液晶分子层排列模型. 相似文献
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Ni2+掺杂ZnO薄膜及粉体的结构和发光性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用激光脉冲沉积法,用XeCl准分子激光器在Si (100)基片、真空和5Pa氧气气氛下制备了Ni2+(0.8%(原子分数))掺杂的呈六角纤锌矿结构的ZnO薄膜.氧气气氛下制备的薄膜沿(002)取向生长,表面比较平整,平均颗粒尺寸为80nm.真空条件下制备的薄膜出现Zn2SiO4杂相,平均颗粒尺寸为150nm.和真空条件下制备的薄膜相比,氧气气氛下制备的薄膜具有较强的ZnO本征发光,在425nm附近出现由于填隙Zn缺陷引起的较宽的蓝光发光带,并且在482nm处出现了由于氧空位和氧间隙间的转换引起的较强的蓝光发光峰,同时由于氧缺陷引起的449nm附近的蓝光发光峰强度明显降低. 相似文献
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应用分子动力学研究了一个熔融Cu55团簇冷却过程中变为二十面体的结构变化.
根据原子密度分布函数和对分布函数随温度变化的分析表明,
在降温过程中由于原子之间连续地交换位置, 团簇结构发生了三个阶
段的变化: 首先形成三壳层结构, 继之初步形成四壳层结构,
并在团簇内部开始形成由13个原子组成的二十面 体结构,
最终形成原子分布于4个壳层内具有二十面体结构的Cu$_{55}$团簇.
模拟中由原子密度分布函数确定了不同壳层的原子位置. 相似文献