冲压机床机座的消失模铸造

简单介绍了利用消失模铸造工艺生产冲压机床机座铸件的生产过程,对冲压机床机座铸件,从浇注位置的选择及浇注工艺的设计,模样组合,涂料涂挂,装箱浇注和过程控制等方面进行了深入探索和实践。     

高频编码信号采集与存储系统研究

为了能够在速度快、频率高、冲击大、体积小等恶劣环境下,精确测得高频编码信号。设计了有针对性的采集、存储系统。通过分析信号特点,选取高性能匹配芯片EP3C16作为主控制器。考虑电磁干扰等因素,利用Cadence软件进行高速PCB设计,并对电阻匹配网络进行设计仿真,数据存储采用乒乓存储技术,并利用Quartus II进行模拟仿真。在电路板布线、阻抗设计上都进行了相应地抗干扰预防处理。应用设计的系统对500MHz实测信号进行采集验证,结果证明了系统具有抗干扰、稳定、可实现的特点。     

1～4GHz 80W GaN超宽带功率放大器

基于南京电子器件研究所0.25μmGaN HEMT工艺平台,设计了一款工作频率为1~4GHz,连续波输出功率大于80W的超宽带功率放大器.放大器采用低通L-C匹配网络实现管芯输入输出阻抗到实阻抗的变换;并利用切比雪夫变换器结构实现超宽带匹配;以单路输入输出端口匹配到100Ω后,两路直接电路合成到50Ω的方法实现了大功率超宽带功放的功率合成.放大器偏置电压32V,静态电流0.4A.测试结果显示,在1~4GHz带宽内,放大器连续波输出功率大于49.05dBm （80.3W）,最高输出功率为50.6dBm （114.8W）,饱和功率增益大于9dB,功率平坦度小于±0.8dB,最大漏极效率为62.5%.     

Design, fabrication and characterising of 100 W GaN HEMT for Ku-bandapplication

Ku-band GaN power transistor with output power over 100 W under the pulsed operation mode is presented. A high temperature AlN nucleation together with an Fe doped GaN buffer was introduced for the developed GaN HEMT. The AlGaN/GaN hetero-structure deposited on 3 inch SiC substrate exhibited a 2DEG hall mobility and density of ~2100 cm²/(V·s) and 1.0×10¹³ cm^-2, respectively, at room temperature. Dual field plates were introduced to the designed 0.25 μm GaN HEMT and the source connected field plate was optimized for minimizing the peak field plate near the drain side of the gate, while maintaining excellent power gain performance for Ku-band application. The load-pull measurement at 14 GHz showed a power density of 5.2 W/mm for the fabricated 400 μm gate periphery GaN HEMT operated at a drain bias of 28 V. A Ku-band internally matched GaN power transistor was developed with two 10.8 mm gate periphery GaN HEMT chips combined. The GaN power transistor exhibited an output power of 102 W at 13.3 GHz and 32 V operating voltage under pulsed operation mode with a pulse width of 100 μs and duty cycle of 10%. The associated power gain and power added efficiency were 9.2 dB and 48%, respectively. To the best of the authors'' knowledge, the PAE is the highest for Ku-band GaN power transistor with over 100 W output power.     

基于LDMOS 器件的幅度可调功放设计

LDMOS 具有高增益、高线性度、高可靠性、低成本等特点。本文利用LDMOS 功率管设计出一款S 波段工作在饱 和状态的新型幅度可调功放。通过改变LDMOS 功率管的漏压与栅源电压使输出功率有15dB 动态范围,可调精度±0.2dB。 较之线性功放,该功放有较高效率,它可以应用在多波束功率发射机或其他需要幅度加权的雷达发射机中,具有较高的 研究价值和应用前景。     

涤纶织物碱减量低温染色一浴工艺

采用耐碱分散红HA-R、耐碱分散黄HA-G和耐碱分散蓝HA-2R对涤纶织物进行碱减量和低温染色一浴处理,探讨了载体用量、染色温度、NaOH和染料用量对织物染色及减量率的影响,并将一浴工艺与常规工艺染色织物进行对比.研究发现:110℃碱减量低温染色一浴工艺染得织物的K/S值与130℃先碱减量再染色常规工艺的相当,根据减量...     

混凝土结构工程质量通病及预防

针对混凝土在工程中的广泛应用,分析了混凝土结构工程质量通病产生的原因,并针对性的提出了预防措施及处理方法,以完善混凝土施工工艺,更好地保证混凝土工程的质量。     

混凝土现浇板裂缝的原因及预防措施

现浇板裂缝问题已成为住宅工程的主要质量通病之一。通过总结现浇板裂缝的类型及危害,从设计、材料、施工方面详细分析了产生原因,并针对性地提出了具体预防措施和处理技术。     

关于塔式起重机事故多发的几点思考

针对塔式起重机应用时发生的事故,分析了事故发生的深层原因,从资质管理、动态监管和提高作业人员素质等方面提出了解决方案,从而改变塔吊事故频发的现状,达到维护社会稳定和谐的目的。     

环保钙/锌PVC热稳定剂的发展现状及应用

热稳定剂是聚氯乙烯(PVC)加工过程中重要的塑料助剂,可以抑制聚氯乙烯在高温下发生热降解,改善PVC热稳定性能。PVC是全球五大通用塑料之一,国内外对PVC的需求量逐渐增大,热稳定剂的消耗量随之增长,因此,低毒、无污染且高效环保的钙/锌热稳定剂成为研究热点。介绍了近年来国内外聚氯乙烯热稳定剂的发展现状,由于铅、镉盐类热稳定剂有毒,已被欧盟禁用,有机锡类热稳定剂价格昂贵,而环保钙/锌热稳定剂市场需求急剧增加。综述了钙/锌热稳定剂的研究现状,分析了环保热稳定剂对PVC的作用机理,提出了钙/锌热稳定剂市场应用前景和未来的发展重点及方向。