阀串结构对IEGT表面压力分布的影响研究

基于压接型IEGT换流阀组应用工况及阀串有限元仿真模型,研究阀串结构对IEGT表面压力分布的影响,重点探讨了碟簧堆叠方式、球窝顶板结构形式、压接垫块材料及压接面表面质量对器件表面压力分布的影响。通过IEGT阀串压力试验不仅验证了有限元模型及边界条件的正确性,还表明垫块压接面的平面度及径向厚度差是影响IEGT表面压力均匀性的关键因素,最后通过开断试验验证了IEGT表面压力分布均匀性与其电气性能的正相关性。     

550 kV快速真空断路器的设计与试验

文中基于多断口串联技术,提出了气体绝缘罐式550 k V快速真空断路器。首先介绍了550 kV快速真空断路器的拓扑和结构方案,然后针对绝缘和温升开展仿真计算,以校核结构设计的合理性,最后通过绝缘和温升试验验证产品性能。仿真结果表明,所有断口处于合位时,最大场强在快速开关进出线处的屏蔽罩上,为19.5 kV/mm,所有断口处于分位时,最大场强在真空灭弧室静触头端面处,为18.9 kV/mm,各部分场强均符合场强设计基准;根据温升场分布,最高温升在真空灭弧室动静触头接触处,为50.8 K。此外,样机通过了对地和端间绝缘试验,单断口罐体的温升试验结果与仿真计算值最大偏差小于4 K,结果符合标准要求。     

硅堆球面压装结构的可靠性分析

硅堆压装结构需要为半导体器件提供良好的机械和电气连接。文中分析一起半导体器件压接力发生偏移的原因，优化了一种硅堆球面压装结构。在此基础上，分别从硅堆结构强度仿真、压接力分布试验和整体电气性能测试三个方面，验证了优化后的球面压装结构的可靠性。通过显微观察器件失效形式并试验对比优化前后的两种硅堆结构，结果表明采用曲率更大的球面结构，硅堆在器件压接力均布性上更具优势，硅堆组件的可靠性也更高。