采用光激励和光检测的LED电特性测试方法

针对目前用于测试LED光电特性多采用接触式的电注入检测方法存在系统复杂、成本高、检测效率低且易造成芯片损伤等不足,提出一种采用光激励和光检测的非接触式检测方法。通过获取光激励LED p-n结产生的光致发光（PL）光谱,在建立了LED PL、电致发光（EL）效应间的确切联系以及LED发光光谱特性与其电特性间的对应关系的基...     

LED芯片封装在线非接触检测系统

根据p-n结的光生伏特效应,采用交变光源照射待测LED芯片,在封装的短路支架上激励出光生短路电流;通过对该微弱电流信号的测量,判断引脚式封装的LED芯片在压焊工艺中/后的功能状态及焊线质量,实现LED芯片的非接触检测。构建了以单片机为控制核心的测试系统,采取了提高系统检测准确性和检测效率的措施,实现了系统控制、数据处理分析等功能。实验结果表明,该系统能正确检测红光、黄光及绿光LED芯片,系统检测效率高,单个LED芯片的检测时间仅为10ms,适用于实际LED生产时引脚式封装工艺过程中的在线检测。     

食品加工、贮藏对乳杆菌源抗菌肽抑菌活性的影响及安全性评价

为明确乳杆菌源抗菌肽粗提粉在食品加工、贮藏过程中的应用,先测定其抑菌谱,然后以白假丝酵母菌为指示菌,从最低抑菌浓度(MIC)、温度、pH、盐浓度、反复冻融以及贮藏时间等方面对粗提粉进行相对抑菌活性评估,然后进行安全性评价。结果表明,乳杆菌源抗菌肽粗提粉具有广谱抑菌性;其热稳定性良好,121 ℃处理20 min仍可保持79.68％的相对抑菌活性;在pH 2~6处理4 h后,可保持90％以上的相对抑菌活性,pH 10~12处理4 h后,几乎完全失活;盐的质量浓度达到0.8 mg/mL时,相对抑菌活性显著降低(P＜0.05);在不同温度、不同贮藏时间,相对抑菌活性无显著变化(P＞0.05);经-20 ℃反复冻融5次后的相对抑菌活性同样无显著性差异(P＞0.05)。安全性评价证实粗提粉属无毒、安全级别。结论:乳杆菌源抗菌肽粗提粉稳定性好,适用范围广,可作为生物防腐剂应用于食品领域。     

基于PIV系统的支撑剂运移铺置规律及参数优化

滑溜水体积压裂是非常规致密储层的主要经济增产措施,支撑剂的运移与分布规律决定着复杂裂缝网络内支撑剂的最终分布形态和导流能力.文中采用PIV(粒子成像测速)系统捕捉支撑剂颗粒在主裂缝中的瞬时运移状态,研究了不同压裂液黏度、排量、砂比和支撑剂筛 目条件下支撑剂铺置后的砂堤平衡状态,揭示了砂堤前缘与末端流场的变化规律.结果表...     

基于气隙式膜蒸馏的溴化锂吸收式制冷系统COP的优化

针对传统的溴化锂吸收式制冷系统难以利用低品位热源的问题,将气隙式膜蒸馏（AGMD）技术引入到溴化锂吸收式制冷系统中,是使其能够利用低品位热源的一种新的工艺流程。本文根据已有的1H,1H,2H,2H-全氟癸基三乙氧基硅烷（FAS）-Al₂O₃管式复合膜的膜蒸馏性能数据,对典型的基于AGMD的溴化锂吸收式制冷系统进行了热力计算。结果发现制冷系统的性能系数（COP）值较小,仅为0.280,因而需要对其工艺流程作进一步的优化。经热力学分析确定了优化的方案：在膜发生器浓溶液出口处增加回路,从而改进了原制冷系统的工艺流程。研究结果表明,制冷系统的COP值会随着回流比的增大而增大。当回流比达到8时,COP值可达到0.765,相较于改进前的系统增大了1.74倍,大大改善了制冷系统的性能。     

气隙式膜蒸馏在溴化锂吸收式制冷系统中的应用

以1H, 1H, 2H, 2H-全氟癸基三乙氧基硅烷（PFDTES）为改性剂,采用表面接枝方法制备疏水性PFDTES-Al₂O₃管式复合膜,并将其应用于溴化锂吸收式制冷系统。通过LiBr/H₂O溶液的气隙式膜蒸馏实验,测试管式复合膜对溶液的分离性能。结果表明：通过PFDTES成功制备出疏水性PFDTES-Al₂O₃管式复合膜;膜蒸馏渗透通量随着操作压力、进料温度及进料流量的增大而增大,随着进料浓度的增大而减小;对于LiBr的截留率始终保持在99.99%以上。在膜蒸馏实验结果的基础上,进一步利用Aspen Plus软件模拟了基于PFDTES-Al₂O₃复合膜的新型溴化锂吸收式制冷系统的换热过程,研究该复合膜应用于溴化锂吸收式制冷系统的可行性。结果表明：性能系数（COP）随着LiBr/H₂O稀溶液浓度及流量的增大而减小,随着LiBr/H₂O稀溶液温度的升高而增大;并且LiBr/H₂O稀溶液温度及流量是主要的影响因素。在操作压力0.08MPa、LiBr/H₂O稀溶液流量86L/h、质量分数50%、温度＞70℃、冷侧流量120L/h和温度20℃的条件下,COP＞0.7,说明将PFDTES-Al₂O₃复合膜用于溴化锂吸收式制冷系统,不仅可以减小设备的体积,还能降低运行成本,具有较高的可行性。     

Current-voltage characteristics of light-emitting diodes under optical and electrical excitation

The factors influencing the current-voltage(I-V) characteristics of light-emitting diodes(LEDs) are investigated to reveal the connection of I-V characteristics under optical excitation and those under electrical excitation.By inspecting the I-V curves under optical and electrical excitation at identical injection current,it has been found that the I-V curves exhibit apparent differences in voltage values.Furthermore,the differences are found to originate from the junction temperatures in diverse excitation ways.Experimental results indicate that if the thermal effect of illuminating spot is depressed to an ignorable extent by using pulsed light,the junction temperature will hardly deflect from that under optical excitation,and then the I-V characteristics under two diverse excitation ways will be the same.     

LED在光注入与电注入下的电特性

本文通过对发光二极管电压-电流特性的影响因素的研究,探讨了电流注入和光激励下其电压电流特性的关系。通过分析在相同注入强度时电流注入和光激励下LEDI-V曲线的区别与联系,发现I-V曲线在电压值上的明显差异来自于不同注入方式下产生的结温差异。实验表明如果通过脉冲光激励使得在激励点产生的热效应差异能够被忽略,以致于两种注入方式下结温几乎相同,那在电流注入和光激励下LED的电压电流特性将会一致。     

LED芯片在线检测方法研究

对于封装过程中的LED芯片的检测目前还没有行之有效的方法,基于p-n结的光生伏特效应和法拉第定律,提出一种非接触式的针对LED封装过程中芯片质量及芯片与支架之间连接状态的检测方法。根据实际LED芯片所处的闭合短路状态,感应回路由绕在高磁导率条形磁芯上的多匝线圈构成。磁芯采用不同搭接方式以提高检测的信噪比,根据实验结果确定了磁芯的最佳搭接方式。实验结果表明,该方法具有较高的检测精度,可以实现对闭合短路状态微安量级光生电流的检测。计算结果与实验结果吻合较好。