半导体硅单晶电阻率标准

本文叙述了硅单晶电阻率标准样片制备工艺中所采取的几项措施,着重讨论了标准测量装置的组成和标准样片定标方法的选择依据及其误差分析。给出本项标准实际达到的主要技术指标及其与美国国家标准局同类标准样片的比较结果。     

基于生物医用Ti6Al7Nb合金表面改性技术的研究进展

Ti6Al7Nb合金作为一种生物医用材料,在临床上得到了极其广泛的应用,为进一步提高其相关性能,使其满足更多的医用需求,对其表面进行性能优化成为了生物工程领域内的热门研究方向。综述了近年来国内外学者通过表面改性技术改善生物医用Ti6Al7Nb合金的耐腐蚀性、耐磨性及生物相容性等方面的研究进展,重点探讨了氧化法、电泳沉积法、离子注入法等表面改性技术在涂层性能、工艺流程及环保等各方面的优缺点,并就提高涂层与基体界面结合力、节能减排等方面提出了相应的技术改进方法,最后对现行表面改性技术的工艺参数优化、多功能梯度涂层的发展提出了展望。     

四探针和扩展电阻等值作图法在硅器件工艺监测中的应用

本文评述了硅集成电路材料及薄层工艺过程中，电阻率和薄层电阻的监测系统，指出四控针和扩展电阻等值作图法应用中需要重点考虑的一些问题。     

四探针与扩展电阻等值作图法在硅器件工艺监测中的应用

本文评述了硅集成电路材料及薄层工艺过程中，电阻率和薄层电阻的监测系统，指出四控针和扩展电阻等值作图法应用中需要重点考虑的一些问题。     

硅单晶电阻率标准样片的稳定性实验研究

一、引言硅单晶是当前半导体工业中应用最广泛的半导体材料。其电阻率的准确测量是提高半导体器件制造成品率的重要因素之一。目前,我国已研制成功的NIM-IC-I和Ⅱ型硅单晶电阻率标准样片作为统一国内电阻率量值的计量传递标准。其中电阻率稳定性是一项重要的考核内容。本文介绍了电阻率标准样片的稳定性实验研究方法,着重讨论了Ⅱ型标准样片的研究结果。     

银吡唑甲基吡啶配合物的制备及其摩擦学性能研究

针对润滑油高温润滑性能突变失效问题,设计制备3种高温自适应的微纳米级别的银吡唑甲基吡啶配合物（配合物1[Ag(LMe)\]2(BF4)2,配合物2[Ag(Li-Pr)n](BF4)n和配合物3[Ag(LMe)(NO3)]2）;考察银吡唑甲基吡啶配合物作为润滑油添加剂的摩擦学性能,并分析其摩擦磨损机制。结果表明：配合物1、2在200~400 ℃温度区间内表现出良好的抗磨减摩性能,而配合物3由于严重的团聚现象,并没有起到预期的抗磨减摩效果;具有层状结构的配合物1的抗磨减摩效果最好,其质量分数为0.5%时的润滑油的润滑性能最好。热重分析结果表明,银吡唑甲基吡啶配合物在高温下生成的银微粒能够有效填补摩擦表面的凹坑,使摩擦副的磨损形式由二体磨损向三体磨损,降低材料表面的磨损程度。因此银吡唑甲基吡啶配合物可作为可控后备润滑添加剂。     

NIM-IC型半导体硅单晶电阻率标准样片与NBS的SRM型标准样片的比较实验

通过对中国计量科学研究院(NIM)与美国国家标准局(NBS)研制的硅单晶电阻率标准样片的比较实验研究,获得了标志着标准样片主要性能的方块电阻直径扫描分布曲线、全片等值分布图和大量有用数据。实验结果表明,NIN标准样片的各项性能均达到NBS同类标准样片的水平,其中,径向电阻率不均匀度和标称值偏差两项的指标还优于NBS标准样片。     

硅片四探针电阻率精密测量误差分析

本文详细介绍了厚度为0.5～1.0mm的硅片进行电阻率精密测量的误差分析,讨论了电阻率精密测量时不确定度的计算方法。