关于P型硅中注入(PF_2)~ 的研究

一、前言 在调试LC-2机器时,发现所引出的二氟化磷离子流[(PF_2)~ ]较磷离子流大好几倍。为提高工作效率,开展了二氟化磷离子掺杂工艺可能性的探索。通过系统测量退火特性,方块电阻与注入剂量的关系,结深与注入能量的关系,注入层载流子的剖面分布,注入层的平均迁移率参数以及与掺磷对比制管实验等大量的实验都表明:(PF_2)~ 作为n型注入杂质是可行的。某些参数,例如n~ -p结的反向漏电比     

低噪声石英晶体振荡器

本文对晶振中的噪声进行了分析,并得出结论。在晶振中的调制谱中,详细地说明了各种噪声对晶振输出频谱的影响,从而提出了低噪声晶振的设计要求,给出了降低振荡器输出相位噪声及提高频谱纯度的途径。     

离子注入在铝／硅接触之间的应用

为了改善铝/硅之间非均匀性的溶解和浅结的电性能,在n型衬底上制作浅的P~+-n结,淀积Al后将B~+ 离子注入到Al-Si界面进行混合。420℃的温度中热处理10分钟。实验结果表明,注入样品结的漏电比非注入样品的漏电有明显的改善。     

基于改进型自抗扰控制器的PMSM控制系统分析

针对自抗扰控制器（activedisturbancerejectioncontroller,ADRC）在扰动剧烈变化时扩张状态观测器（extendedstateobserver,ESO）观测精度降低致系统鲁棒性变差的问题，提出采用径向基（radial basisfunction,RBF）神经网络补偿优化ESO的方法，并将其用在永磁同步电机（permanentmagnet synchronousmotor,PMSM）速度环中。首先根据永磁同步电机d-q轴微分方程组模型设计一阶自抗扰控制器，搭建电机负载转矩观测器用来采集RBF神经网络所需的负载转矩数据，然后利用RBF神经网络对扰动实时辨识的结果对ESO进行实时补偿，并证明了闭环系统的稳定性，最后通过Matlab/Simulink仿真平台进行验证。实验结果表明：在相同条件下和传统ADRC相比，加入RBF神经网络补偿的自抗扰控制器在负载突变时，PMSM系统具有更低的震荡幅度和更快的稳定时间。     

用氮离子注入硅中抑制SiO_2的生长

本文报道了硅片在相同的氧化条件中形成不同厚度的SiO_2层。采用注入氮离子进入硅中,将注入与未注入样品在1000℃的炉温中进行干氧、湿氧生长SiO_2,用膜厚测试仪测SiO_2层的厚度。结果表明,N_2~+离子注入硅样品的氧化层厚度明显薄于非注入样品的氧化层厚度。N_2~+离子注入硅表面在氧化时抑制SiO_2的生长,具有较明显的抗氧化的作用。这项实验说明,采用注入N_2~+离子,同一硅片在相同的氧化条件下开辟选择氧化是可能实现的。     

氩离子注入硅表面引起氧化增强效应

实验证实了氩离子注入硅表面后在氧化时引起氧化增强效应;在硅表面注入氩离子后,将注入与非注入样品在温度1000℃的炉体中进行干氧、湿氧生长SiO_2,用膜厚测试仪测二氧化硅层的厚度;结果表明,在相同氧化条件下,氩离子注入样品的氧化层膜厚大于非注入样品的氧化层膜厚度。