GaAs Mach－Zehnder型光波导开关／调制器

采用非对称Ｘ结耦合器代替传统的Ｙ分支器，研制了ＧａＡｓＭａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ型２×２光开光，得到了小于－２２．４ｄＢ的串音比和１２Ｖ左右的开关电压，器件的波导传输损耗小于７ｄＢ／ｃｍ。预计该器件可广泛应用于ＧａＡｓ开关列阵及高速光调制等领域。     

几何光学中线段正负值的判断及其应用

以平面—凸面镜、平面镜—凹面和凸透镜—平面镜结构等光学系统为实例进行分析,总结归纳出判断几何光学线段正负的有效方法,以致快速正确的解决几何光学实际问题,同时为光学课程教学提供指导。     

液晶型圆偏振调制器

设计了一种液晶（LC）型光圆偏振调制器（CPM）,利用LC材料的电控双折射特性得到出射光的2种圆偏振态。对器件的工作原理进行了详细的说明,进而对器件的特性进行了测试和分析。该LC型光CPM具有小于10V的低驱动电压、ms量级的响应速度和体积小的特点。测试结果表明,该光CPM输出光圆偏振度高达98．8％。     

基于Visual Basic与RS232串行通信的温度监测系统

在VB的通信控件Mscomm属性设置和事件响应的基础上,在WindowsXP的环境下,利用通信控件实现与单片机串行通信,把单片机采集的温度上传到PC机,同时利用Visual Basic图片框控件PictureBox显示出来,达到对温度的实时监测的目的.     

腹股沟皮瓣修复手部软组织缺损

目的总结腹股沟皮瓣修复手部软组织的临床效果。方法应用腹股沟皮瓣修复手部软组织缺损18例。男13例,女5例;年龄20～56岁。绞榨伤8例,车祸伤7例,热压伤3例,均伴有骨关节或肌腱外露。软组织缺损范围5.0cm×4.0cm～8.0㎝×7.0cm。行急诊手术6例,择期手术12例。结果术后2例皮瓣远端边缘坏死,经换药后愈合,余患者皮瓣均顺利成活。供区创口I期愈合。结论腹股沟皮瓣血运良好,手术操作简便、安全,可有效修复手部软组织缺损。     

Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体行波调制器共平面电极微波特性的分析

本文用直线法分析了具有半绝缘衬底和ｎ＾＋重掺杂外延层的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体行波调制器中共平面波电极的微波特性。首先指出了在这种共平面微波带经事奇对称模和偶对称模的不同作用，由此详细地分析了调制器各结构参数对奇对称模特性的作用。     

井口控制盘安全联锁研究

基于某井口控制盘安全联锁的需求,提出了关断回路直接联锁、控制回路元件联锁、主副盘安全联锁、主副盘先导式安全联锁四种井口控制盘联锁解决方案,并对比分析了各方案的特点。针对项目实际工况,选择了可靠性高、经济性高的主副盘先导式安全联锁方案。通过设备现场试验测试,达到了预期目的,提高了井口开采生产工艺系统的安全性,确保对油气井的联锁控制。     

基于GaAs/AlGaAs量子阱材料的光致折射率分析

初步分析了基于GaAs/AlGaAs量子阱材料的光致折射率变化规律,利用自洽方法计算了光生载流子浓度对传输光的折射率改变量。当805nm的控制光注入强度为6×103W/cm2(8×103W/cm2)时,在垂直材料表面内1μm深度处,对1.55μm(1.31μm)的传输光可以达到-1-0 2的折射率变化量级。与GaAs体材料相比,量子阱材料所需控制光强度能够减少约20%,有助于降低全光开关与全光调制器的功耗。     

玻璃基掩埋式光波导堆栈的制作与表征

在硅酸盐光学玻璃基片上制作了光波导堆栈, 这种光波导堆栈通过Ag⁺/Na⁺熔盐离子交换和电场辅助离子扩散技术顺次制作了两层掩埋式光波导. 对光波导堆栈的横截面显微结构进行了观察, 并对堆栈中两层波导的损耗特性进行了测试. 所获得的光波导堆栈中的上、下两层波导芯部分别位于玻璃表面以下14和35 μm处; 上层光波导芯部尺寸约为12 μm×7 μm; 下层光波导芯部尺寸约为9 μm×8 μm. 通光测试显示两层波导在1.55 μm工作波长下均为单模光波导, 且两者之间没有相互耦合. 损耗测试分析结果显示: 堆栈中两层光波导的传输损耗均约为0.12 dB/cm,与单模光纤之间的耦合损耗分别为0.78和0.73 dB. 分析表明, 这种光波导堆栈在玻璃基集成光芯片的高密度集成方面具有很好的应用前景.     

玻璃基离子交换型宽带22 3dB耦合器研究

为满足2N光功率分配器的制作和应用的需求,对宽带集成化22 3dB耦合器进行了深入的理论和实验研究。采用3-D光束传播法,对传统的非对称X结进行了模拟改进,设计了低损耗且具有较宽工作带宽的22 3dB耦合器。采用Ag+-Na+离子交换技术在玻璃基上成功制作了非对称X结结构的宽带22 3dB耦合器。通过对1260nm~1360nm和1460nm~1600nm两个波段宽带光源的光谱测试,得到在宽带范围内小于4.0dB的插入损耗,光谱谱线相对平坦,波长依赖性较小,均匀性小于0.5dB。结果表明,采用这种非对称X结并结合离子交换工艺,可以在玻璃基上制作出宽带的22 3dB耦合器,这为进一步优化器件性能,研制成功具有应用价值的器件奠定了基础。