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本工作用本实验室试制的TTP-1型椭圆偏振光谱仪,测量了紫外至可见范围(2700~6000(?))内单晶硅和离子注入无定形硅的光学常数——折射率n和消光系数κ。对所测得的n、κ,及复介电常数的实部(?)和虚部(?),进行Kramers-Kronig关系的计算。计算结果表明,不论是单晶硅或是无定形硅,所得数据均相当好地符合Kramers-Kronig关系。对于单晶硅,我们测得的结果与别人用反射法测得的结果及用椭偏法测得的结果基本 相似文献
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结型硅光电器件的短波光谱响应灵敏度不高的原因,除了硅表面对光的短波部分有很大的反射系数(可达百分之七十)外,主要是由于硅对光的短波有相当大的吸收系数(对于3800埃其a~10~(-5)厘米~(-1),以致短波光子所产生的光生载流子几乎都集中在表面很薄的一层半导体中.然而这些光生载流子往往由于表面和扩散层中复合的损失,使达到p-n结空间电荷区而成为寻电的载流子的数目就相当少了.因此,一般硅光电器件的光谱使用范围在5000~10000埃,峰值在9000埃左右. 相似文献
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