光折变晶体Cu:KNSBN的多重图像存贮实验研究

目前,光折变非线性元件在光学并行图像处理中有着非常广泛的应用。光折变晶体用于图像边缘增强,图像加、减运算,非相干—相干转换(PICOC),图像相关和卷积运算等研究已取得显著成果。本文研究了Cu;KNSBN晶体中多重图像的存贮问题,指出可以利用这种技术实现光学目标识别并给出了一些初步实验结果。此外,还从理论上分析了具有相同衍射效率的多重全息信息记录技术。     

采用L-M算法对变频器干扰环境下电液控制系统的参数辨识研究

针对变频器电磁干扰环境下,对存在纯延迟的电液控制系统参数辨识时,采用普通最小二乘方法精度不够、效率低等问题,提出采用L-M(Levenbreg-Marquardt)算法对系统参数进行辨识的方法,在延迟时间已知的条件下建立了电液控制系统的可辨识离散时域差分方程模型,在系统输出信号含有现场真实变频器电磁干扰时,分别采用L-M算法和普通最小二乘算法对系统参数进行了辨识,仿真结果表明,前者在参数辨识精度上比后者高5.43%,辨识速度快46.4%。     

光折晶体Cu:KNSBN的双光束耦合——能量转移研究

二波耦合是研究光折晶体特性和品质的一种重要方法。本文着重分析基于光析变理论的二波耦合能显转移原理,研究所得的Cu:KNSBN晶体的增益系数γ与两光束入射角20的关系,以及ρ与光束比β的关系曲线。测量结果显示:Cu:KNSBN晶体具有大的τ值。最后,本文还报告了该晶体的高频时间调制传输特性,以及测得的衍射效率η与光束夹角20及调制频率f的关系曲线。     

线圈匝数对高速开关电磁铁响应时间影响研究

线圈匝数作为高速开关电磁铁的重要参数,其值的大小会直接影响电磁铁的响应时间。过少的线圈匝数会导致电磁铁吸力不够,不能推动负载运动;过多的线圈匝数会增大电感,短时间无法使线圈电流达到最大值,同样导致电磁铁吸力不够,因此确定高速开关电磁铁合适的线圈匝数尤为重要。建立高速开关电磁铁数学模型,分析高速开关电磁铁响应时间,针对负载为20N到200N,频率响应为100Hz,行程为0.4mm的高速开关电磁铁,基于Ansoft Maxwell软件分析表明:在负载一定时,存在唯一满足响应时间最短的线圈匝数,可为实际的高速开关电磁铁线圈匝数设计提供理论依据。     

Study#$TABon#$TABsputtering#$TABZn(O,S)#$TABbuffer#$TABlayers for eco-friendly Cu(In,Ga)Se2 solar cells

An eco-friendly Zn(O,S) film with a wider band gap is emerging as one of the promising Cd-free replacement material, which can be deposited by radio frequency sputtering. The effect of sputtering pressure on the Zn(O,S) films properties and the devices performance are studied systematically. At high pressure, the ZnS phase is found in the Zn(O,S) films resulting in a higher barrier at Zn(O,S) /CIGS interface which would lead to a low recombination activation energy (Ea). By reducing sputtering pressure, single phase of Zn(O,S) films are conducive to carrier transport as well as pro- mote the films electric properties, ultimately improving the performance of Zn(O,S)/CIGS solar cells. This work has been supported by the National Natural Science Foundation of China (Nos.61774089, 51572132 and 61504067), and the Yang Fan Innovative & Entrepreneurial Research Team Project (No.2014YT02N037). E-mail:wwl@nankai.edu.cn      

LCD工艺中使用的碱性溶液对SiO2膜层的刻蚀作用

钠钙玻璃基片上的SiO₂膜层在很大程度上决定了液晶显示器件(LCD)的化学稳定性及使用寿命。本文以射频溅射法制备的SiO₂膜层为样品,结合LCD工艺特点,初步研究分析了其工艺流程中所使用的不同碱性溶液对SiO₂膜层不同的刻蚀作用。本文的结论有利于在LCD工艺中更好地保护SiO₂膜层。     

玻璃基板的表面特征对STN-LCD显示特性的影响

基于STN-LCD显示的双折射干涉原理并结合人眼视觉系统因素,从理论上说明了液晶盒间隙的不均匀性与STN-LCD显示出现彩虹的关系,进而阐述了ITO玻璃基板的表面形貌特征对STN-LCD显示特性的影响.实践表明:致使STN-LCD出现彩虹的主要因素取决于其制造工艺的控制.     

ITO膜层蚀刻性能实验研究

讨论了ＩＴＯ膜的湿法蚀刻特性，得出了有关蚀刻速率的定量关系；比较了ＩＴＯ膜的不同配比的蚀刻液，并指出了加热至５０℃￣６０℃的、体积比为５０：（３￣９）：５０的ＨＣｌ和ＨＮＯ３与水混合液比较适合于大规模生产需要。