形成硅多层微机械结构的“掩模-无掩模”腐蚀新技术

本文介绍了一种制作硅多层微结构的体微机械加工新技术．基于KOH溶液的无掩模腐蚀特性，仅用一层掩模进行一次从有掩模到无掩模的连续腐蚀工序，可在（100）硅片上制作各种以（311）晶面为侧面且进棱沿（110）晶向的多层次立体结构，原则上层面数不受限制，各个层面的位置和深度都可由一块掩模的设计和相应的腐蚀深度确定，该技术突破了传统各向异性腐蚀的局限性，使体微机械技术的加工能力大为扩展，可望在微电子机械系统的结构制作中广泛应用．     

KOH溶液无掩膜腐蚀加工硅对称梁技术研究

本文介绍了利用ＫＯＨ腐蚀液对硅台阶、台面等三维结构进行无掩膜腐蚀的新技术．应用该技术可以制作出仅用常规各向异性腐蚀所无法形成的微机械结构，从而使腐蚀工艺的灵活性大为增加．通过分析与计算，给出了无掩膜腐蚀过程中三维结构的变化规律，并通过大量实验证实了这些规律．利用该工艺已成功地制作了一种微机械硅电容加速度传感器用的对称梁－质量块结构．这种结构的特点是梁的中平面与质量块质心位于同一水平面上，从而能消除相关的横向寄生灵敏度效应．     

微机械梁膜结构1kPa量程压力传感器

采用微机械加工技术可以制作出管芯尺寸小而灵敏度很高的压力传感器。目前微压压力传感器产品的量程已达5～10kPa。本文介绍了采用微机械梁膜结构的压力传感器设计(PT—24),结合适当的工艺可以制成量程为1kPa的器件。     

500pa微压传感器的研制

硅压力传感器发展的一个重要趋势,是向高灵敏度的微压传感器发展。1993年我们率先采用微机械的梁膜结构制得PT-24量程1kpa微压传感器。但在进一步提高灵敏度的研究过程中,遇到如下几个问题:(1)非线性随着灵敏度提高变差;(2)灵敏度提高,稳定性变差;(3)过载能力不够;(4)静电封接时背岛与玻璃基片相接。本文针对上述问题进行了研究,在PT-24量程1kpa微压传感器的版图和工艺基础上进行改进和提高,成功地设计并制作出PT-28量程500pa压阻式扩散硅微压传感器。     

测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法

介绍了一种测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法.硅各向异性腐蚀速率三维分布可由一系列晶面上的二维腐蚀速率分布表示.利用深反应离子刻蚀技术(DRIE)在{0mn}硅片上制作出侧壁垂直于硅片表面的矩形槽,测量槽宽度在腐蚀前后的变化,就可测定各{0mn}面上的二维腐蚀速率分布.将二维腐蚀速率分布组合在一起就得到了三维腐蚀速率分布.由于DRIE制作的垂直侧壁深度大,可耐受较长时间的各向异性腐蚀,所以只需使用一般的显微镜就能得到准确的结果.实验得到了40%KOH和25%TMAH中{n10}和{n11}晶面的腐蚀速率分布数据     

微机械染膜结构1kPa量程压力传感器

采用微机械加工技术可以制作出管芯尺寸小而灵敏度很高的压力传感器。目前微压压力传感产品的量程已达５－１０ｋＰａ。本文介绍了采用微机械梁膜结构的压力传感器设计（ＰＴ－２４），结合适当的工艺可以制成量程为１ｋＰａ的器件。     

一种表面可动微结构的释放新工艺

在表面微机械加工技术中,当牺牲层腐蚀后,已被释放的表面可动微结构会粘结在衬底上使器件失效。     

四甲基氢氧化按 异丙醇 水系统 对硅的各向异性腐蚀

本文研究了在的四甲基氮氧化按水溶液中加入异丙醉构 成的腐伙系统对硅的各向异性腐性特性研究发现在异丙醉含童从。到即体积比的 广大范围内, 溶液对硅均有显著的腐蚀作用, 且表面质量比纯的更好。实验给 出了腐性速率、削角比和各向异性比。。等参数与含堂的关系结果表明。 休积与体积构成的溶液存在腐蚀速率的极大值、削角的极小值和最 大的各向异性比。, 因之按此比例配制的新腐蚀液具有表面质量好, 与工艺 相容以及低成本的优点     

微压压力传感器的结构改进

硅压力传感器具有小型和高灵敏等的优点，近年来小型高灵敏度的压力传感器的量程已低到１ｋＰａ。在这一发展过程中硅弹性体结构的改进起了很大的作用，本文介绍了作者首先提出了适用于微压压力传感器的梁膜（岛）结构以及以后几年来出现的相近的结构，用这些结构都已制成量程为１ｋＰａ的压力传感器 。     

后扩金工艺

众所周知,掺金工艺可以提高晶体管的开关速度,是目前饱和型T~2L电路制造工艺中的一项重要工艺。常规的掺金工艺是按排在隔离扩散之后,与基区氧化同时完成。实践证明,这种掺金工艺存在如下不足之处:(1)硅片最后一次高温处理(三次氧化)温度仅900℃左右,使金的固溶度大大变低,造成集电区复合中心浓度剧烈下降,从而限制了晶体管开关速度的提高。(2)金扩散以后,硅片又经过多次热循环,大量金原子有可能在硅片缺陷处产生沉淀,使硅片内“管道”密度造成数量级的增殖,严重影响器件