MBE系统中GaAs样品的RHEED分析

本文根据在调试分子束外延(MBE)系统过程中,使用反射式高能电子衍射(RHEED)对GaAs样品实时监控得到的图片进行分析,从而总结出在MBE外延生长实验中对采用的GaAs样品的化学清洗方法。     

STM探针电化学腐蚀装置的设计及实验研究

本文根据扫描隧道显微镜(STM)探针电化学腐蚀方法的特点,在总结其它STM探针电化学腐蚀装置的基础上,自制了STM探针电化学腐蚀装置。并用此装置进行探针制备的实验研究,摸索出了此装置制备高质量钨探针的较佳工艺条件,同时给出了所制探针的STM成像结果。     

用于MBE中的反射式高能电子衍射仪

对用于分子束外延(MBE)中的反射式高能电子衍射仪(RHEED)的工作原理以及RHEED衍射强度振荡在测量外延生长速率的应用进行了详尽的阐述;针对样品盘与RHEED系统的兼容问题,对样品盘进行了新的设计,并进行了实验研究。     

温州软土地区基坑支护选型调查及坑外深层土体变形的实测与规律研究

通过对温州市城区2007年以来基坑工程(220个)的支护选型进行统计分析,获得了不同工况下的基坑选型规律:深度4 m及4 m以内的基坑主要采用土钉墙支护形式;超过4 m深度的一般采用围护结构加内支撑支护形式,围护结构一般采用钻孔灌注桩,且多选用水泥土搅拌桩作为围护桩外侧止水结构,其中,深度7.5 m以内的一般采用1道内支撑,超过7.5 m的则采用2道内支撑。在此基础上,再通过对典型支护类型的现场实测数据分析,获得了坑外深层土体变形规律,即:随着基坑开挖深度的增加,深层土体最大水平位移值不断增大,土体内部位移加剧;在地下室底板混凝土具有支撑强度后,坑外深层土体水平位移量趋于稳定;深层土体最大变形点发生在坑底以上0.5～1.0 m处。     

MBE生长GaAs薄膜表面形貌的RHEED图样研究

本文通过在GaAs(100)单晶衬底上MBE生长GaAs过程中形成的RHEED衍射图样,对GaAs薄膜的表面形貌进行研究。分析GaAs表面粗糙和生长时不发生RHEED强度振荡的原因。讨论在生长GaAs时出现In(Ga)As/GaAs(100)体系的RHEED衍射图样这种异常现象的原因。     

低温扫描隧道显微镜(LT-STM)的调试技术

本文介绍了低温扫描隧道显微镜(LT-STM)的结构特点,该设备由真空系统、低温系统、扫描和数据采集系统、电源控制系统、控制计算机等组成,该实验设备具有高性能、高精度的特点,对实验人员的实验技能要求很高.我们结合它的使用对其调试方法进行了分析、探讨和总结,其实验结果证明了这种调试方法的正确性和可行性,为今后调试同类实验设备提供了可靠的经验.