铁氧体瓷棒真空镀膜技术

表面金属化的铁氧体瓷棒是铁氧体圆极化移相器的关键构件,表面金属化膜层的均匀性是其重要的指标.本文主要研究镀膜工艺、镀膜夹具对镀膜均匀性的影响.采用脉冲宽度经验测试法对铁氧体棒表面镀膜厚度进行测量,采用矢量网络分析仪及自制波导系统组成的测试系统对镀膜的铁氧体棒插入损耗进行测量.结果表明脉冲宽度测试法是一种较好的经验方法,适合于生产中对铁氧体棒表面膜层厚度进行测量;真空蒸发和磁控溅射镀膜的棒体其插入损耗指标没有明显的区别;磁控溅射工艺及夹具系统与真空蒸发工艺及夹具系统相比,更有利于获得较高的镀膜厚度一致性.     

微波印制电路快速制造技术

本文介绍了一种微波印制电路板快速制造方法及其基本原理，并对其在军用微波混合电路中应用的可行性进行了探讨及分析，结果表明这种技术能够满足L波段或S波段等常用微波领域的混合电路的快速研制及试生产的需要。     

钛合金上可焊性镍-金复合镀层的制备及表征

介绍了一种在TC4钛合金上获得可焊性镀层的工艺,其流程主要包括除油、酸蚀、活化、电镀氨基磺酸镍、镀纳米薄金、热处理和电镀金。讨论了TC4钛合金前处理和热处理工艺对镀层性能的影响。对前处理过程中钛合金表面形貌的变化以及各镀层的表面形貌和元素组成进行了表征。所得Ni–Au复合镀层结合力良好,经350°C×30min的热震试验后无鼓泡、开裂,一次合格率达到95%。复合镀层与Sn37Pb焊料的润湿性良好,焊透率达98%。该工艺解决了TC4钛合金材料可焊性镀层批量镀覆的技术难题。     

基于BCB的薄膜多层基板在毫米波T/R组件中的应用

基于BCB的薄膜多层基板具有优异的高频特性,是毫米波频段多芯片组件集成封装的重要途径。研究了BCB薄膜多层基板在Ka波段相控阵雷达T/R组件中应用的可行性,首先与LTCC基板对比验证了BCB微带线的传输特性,然后研制了功率分配/合成器、穿墙过渡等关键微波无源电路,最后设计了八通道的无源组件进行微波性能测试评估,结果表明基于BCB的薄膜多层基板能够满足应用需要。     

基于本征光敏型聚酰亚胺的多层薄膜电路制作工艺

本征光敏型聚酰亚胺(PSPI)具有优良的热稳定性、感光性、力学性能和介电性能,其在MCM组件中的应用,将进一步降低组件的重量、提高封装密度.在国外,PSPI在MCM中的应用已较为成熟,而国内在这方面与国外有较大的差距.为此,文章从应用的角度出发,研究了PSPI的光刻特性,优化工艺参数后,厚度10μm的PSPI可刻出Φ30μm的微孔;PSPI表面沉积金属的附着力是难点和关键,文中重点对PSPI表面金属化工艺进行了研究,通过对PSPI进行等离子处理工艺的优化,在其表面TiW-Cu-Au膜层的附着力满足要求,附着力达25 MPa;在此基础上,制作出了"3层介质+3层电路"的多层薄膜微波测试电路.结果表明,测试电路层间导通良好,在1~40 GHz范围内插入损耗小于0.85 dB,回波损耗小于-13 dB.     

射频微系统2. 5D/3D 封装技术发展与应用

2. 5D/3D 封装技术是满足未来射频系统更高集成度、更高性能、更高工作频率需求的主要手段。文中介绍了目前微系统2. 5D/3D 封装技术的发展趋势及硅通孔(TSV)、微凸点/ 铜柱、圆片级封装等先进的高密度封装技术,并关注了2. 5D/3D 封装技术在射频微系统领域的应用及挑战,为射频微系统集成封装技术研究提供参考。     

金刚石/铜复合散热材料的制备和检测

金刚石/铜复合材料具有高的热导率和可调的热膨胀系数,是一种极具竞争力的新型电子封装材料,可作为散热材料广泛应用于高功率、高封装密度的器件中。文中从工程化的角度出发,对应用中的瓶颈因素进行了研究。为改善其钎焊性能,采用磁控溅射、电镀等方法在金刚石/铜表面获得了附着力、可焊性良好的Ti-Cu-Ni-Au复合膜层。在此基础上进行了钎焊试验,金锡焊料在复合膜层上铺展良好、无虚焊。对金刚石/铜的散热效果与钼铜片做了对比试验,结果表明,在相同条件下,与钼铜热沉片相比,降温幅度超过20℃,具有更优异的散热效果。     

AlN基板表面处理对薄膜附着力的影响

用扫描电镜和X射线能谱分析仪研究高温氧化及薄膜工艺过程中主要溶液对氮化铝陶瓷(AlN)基板的影响。结果表明:高温氧化使表面氧含量增加,在1000℃氧化2h,表面已形成致密的氧化层。碱性溶液清洗和去离子水煮会使表面产生多孔的疏松化合物。采用高温氧化、酸性清洗、溅射前加强离子轰击等措施,磁控溅射TiCu,其薄膜膜层附着力不低于15MPa。     

基于氮化铝HTCC基板的化学镀镍硼工艺研究

氮化铝(AlN)高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramic,HTCC)基板具有高的热导率以及与芯片匹配的热膨胀系数,是高功率多芯片组件首选的基板材料和封装材料。为了满足封装要求的良好钎焊性能,文中采用化学镀工艺在氮化铝HTCC基板钨导体表面沉积了化学镍钯金镀层。文中对化学镀镍溶液体系和高温热处理的工艺条件进行了研究,对化学镍层的厚度进行了优化。结果表明,高温热处理促使薄镍层向基板表面钨导体扩散,进而提高化学镀层与基底之间的附着力,镀层附着力良好,满足金丝键合和锡铅焊的要求,为微波高功率组件的研制提供了技术支撑。     

银浆料LTCC镀金基板工程应用研究

提出了一种在银浆料LTCC基板表面银导体上采用化学镀镍钯金工艺制造LTCC微波多层基板的新方法。不同体系的生料、浆料试验表明选择合适的生料和浆料配套材料,可实现银浆料LTCC镀金基板的可靠性制造。通过镀层可键合性能优化镀层厚度参数,测试了银浆料LTCC镀金基板镀层可键合性、可焊性、耐焊性、膜层可靠性、基板可靠性、基板环境适应性及电性能,各项性能均能满足微波组件的工程应用要求,其膜层可靠性甚至优于全金导体LTCC基板,为LTCC微波多层基板的低成本生产提供了一条有效的技术途径。