籽晶粘接工艺对SiC单晶生长质量的影响

空洞等缺陷是SiC晶体生长中常见的缺陷之一。通过改进SiC籽晶粘接工艺,在SiC籽晶和籽晶托之间形成致密层,有效抑制了空洞缺陷的产生,改善了SiC晶体的结晶质量。采用该工艺生长的SiC晶体内已观察不到空洞缺陷,微管密度也得到抑制,晶体半峰宽40″,结晶质量良好。     

煤矸石发电项目水权转让工程效果分析探讨其水权转换意义

文章简述了神华神东电力土右2×300 MW(CFB)煤矸石发电项目水权转让工程,并探讨了水权转换的意义。     

大型水电主轴锻造方法研究

大型水电主轴锻件属于超长空心锻件,各部位尺寸大、重量重,锻造成形困难,容易出现尺寸不足、性能不合等问题,通过优化现有辅具,调整锻造工艺,细化锻造工序,最终成功锻造出大型水电主轴.     

退火对掺钒半绝缘4H-SiC晶片质量影响的研究

通过物理气相传输(PVT)法成功地生长出直径大于7.62 cm的掺钒半绝缘4H-SiC晶体。抛光后的掺钒半绝缘4H-SiC晶片在真空且温度1 600℃～2 000℃条件下进行退火处理,利用高分辨X-ray衍射仪、显微拉曼光谱仪、非接触电阻率测试仪和应力仪对退火前后的晶片进行了测试与分析,研究了退火工艺对掺钒半绝缘4H-SiC晶片应力的影响,并且得到了合适的退火工艺。结果表明:合适的退火处理有利于进一步提高晶片的质量。     

碳纤维增强热塑性复合材料研究进展

系统介绍了碳纤维增强热塑性复合材料的研究进展,包括界面改性（物理改性和化学改性）、结构设计（仿生结构、三维编织结构和机械结构）和成型工艺（树脂传递模塑成型、自动铺放成型、长纤维增强热塑性树脂成型工艺、热压成型和3D打印成型）。最后,介绍了碳纤维增强热塑性复合材料在运载行业的应用和发展情况,并对其未来发展情况进行了展望。     

远程终端设备（RTU）USB模块的开发设计

由于远程终端设备RTU在数据采集中对移动存储的需求越来越大,所以USB接口常用来进行数据的存储和交换.本设计采用一款多功能的USB专用接口芯片CH375,提出一种基于CH375的U盘读写模块与单片机ATMEGA32相结合以实现USB主机功能的方法,并给出了具体的软、硬件实现方法.     

大直径半绝缘4H-SiC单晶生长及表征

采用升华法稳定地生长出7.62 cm半绝缘4H-SiC单晶。通过优化钒掺杂工艺获得了均匀分布的电阻率1011Ω·cm。用激光拉曼光谱仪对晶片进行扫描,结果表明SiC单晶晶型为4H晶型。半绝缘4H-SiC单晶微管密度最好结果小于2 cm-2。用高分辨X射线衍射术表征了7.62 cm 4H-SiC单晶衬底片的结晶质量,（0004）衍射摇摆曲线半峰宽为40＂,说明晶体结晶性较好。     

对预应力钢丝张拉机示值检测方法的建议

一、《预应力钢丝张拉机检定规程》规定的检定方法存在的问题和建议　　《预应力钢丝张拉机检定规程》规定 :预应力钢丝张拉机 (以下简称张拉机 )的检定 ,要在专用的检定装置上整机检定或单独检定弹簧测力计。根据我所的工作实践 ,依此检定后的张拉机标尺的标称值在张拉机实际使用时是不能采用的。原因是规程的制定对张拉机的现场使用缺乏足够的考虑。ＪＪＧ333— 96《张拉机检定规程》的概述中说明了张拉机的主要用途 :“是在生产预应力混凝土构件过程中 ,在长线工作台座上用该机时 (Φ4ｍｍ～Φ5ｍｍ)冷拔低碳钢丝、冷拔低合金和冷轧带肋…     

籽晶偏向对高纯半绝缘4H-SiC晶体影响的研究

采用PVT法得到高纯4H-SiC体单晶。研究了0°、1°、4°晶体对晶体台阶流、晶体结晶质量、晶体缺陷、晶体电学性能的影响;晶体台阶流采用奥林巴斯显微镜进行表征,晶体缺陷采用莱卡体系显微镜进行表征,晶体结晶质量采用高分辨XRD进行表征,晶体电学性能采用非接触电阻率测试仪进行表征。实验结果表明:4°籽晶生长的晶体缺陷最少,1°与4°籽晶生长的晶体结晶质量相当,0°籽晶生长的晶体电学性能最均匀。