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1.
Aluminum specimens were anodized in a sulfuric acid bath, then silver was electrodeposited in pores of the anodized aluminum by using alternating current . The anodized aluminum with deposited silver was testedfor its antibacterial performance. The results show that the antibacterial rates of the specimens are above 95% against the growth of E. coil, P. aeruginasa, S. faecalis and S. aurens. The morphology of the silver in pores of anodized aluminum is characterized by transmission electron microscopy, and the micrographs indicate that silver is assembled in the form of nanowires with a diameter of 10 nm or 25 nm. The nanowires have a structure of parallel bright stripes alternating with parallel dark stripes. 相似文献
2.
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4.
运用传统模拟退火算法解决复杂非线性规划问题,存在降温速度与求解质量之间的矛盾,已经不能满足生鲜农产品配送中心选址的需求。为解决这一问题,本文设计一种改进模拟退火算法的生鲜农产品配送中心选址方法。其核心思路是将遗传算法与模拟退火算法融合。首先在退火过程的搜索环节引入以配送中心为编码的染色体个体,并筛选出符合目标函数参数条件的染色体集;然后应用改进模拟退火算法实现选址过程的整体优化;最后采用山东省A公司生鲜农产品配送中心选址问题进行仿真模拟。实验对比结果表明,在多次选址求解过程中,改进模拟退火算法能有效减少传统模拟退火算法在运算后期大量迂回搜索、无效搜索的问题,提升生鲜农产品配送中心选址效率。 相似文献
5.
采用复合电沉积法制备了AC(活性炭) / Ni-Co 复合电极。XRD 和SEM 测试结果表明, AC 微粒的复合未改变Ni-Co 合金电极的物相结构, 但使镀层的表面粗糙度和真实表面积增大。通过稳态阴极极化曲线和电化学交流阻抗技术考察了不同电极在1 mol·L-1 NaOH 溶液中的催化析氢性能, 结果表明, 镀液中AC 含量为3 g·L-1时所制备的AC/ Ni-Co 复合电极较Ni 电极和Ni-Co 合金电极具有更高的催化析氢活性, 电流密度为30 mA·cm-2时, 析氢反应极化电位分别比Ni 电极和Ni-Co 合金电极正移230 mV 和140 mV , 表观交换电流密度分别是Ni 电极和Ni-Co 合金电极的42 倍和9 倍, 复合电极催化析氢性能的提高主要归因于电极真实表面积的增大。 相似文献
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7.
在半导体p型Si上化学沉积金属Pd,制备了纳米晶Pd修饰p-Si电极.控制化学沉积的时间,可得到不同沉积量和不同尺度的Pd颗粒,沉积时间为20 min时,Pd颗粒的直径约为80 nm.XRD测试结果表明,Pd颗粒的平均晶粒尺寸为7.37 nm.重点研究了Pd/p-Si电极在光照前后的催化析氢性能.光照下Pd/p-Si电极的析氢过电位较无光照减小约250 mV,比半导体Si减小约450 mV(电流密度为2.5 mA8226;cm-2时).电化学交流阻抗谱(EIS)表明,光照下Pd/p-Si电极的电化学析氢反应电阻由未光照的593.12 Ω8226;cm2降低至442.20Ω8226;cm2,光照下的析氢反应速率明显增加. 相似文献
8.
9.
双脉冲电沉积制备Ni-聚苯胺复合电极及其析氢性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用控制双脉冲电位沉积技术制备N i-聚苯胺复合电极。扫描电镜下观察电极表面呈菜花状结构,比表面积约为普通镀N i电极的4~50倍。N i-PAN复合电极的X射线衍射谱图中分别出现了N i和PAN的特征峰。通过测试复合电极在模拟氯碱工业电解液中的阴极极化曲线,研究了N i-PAN电极的析氢性能,结果显示当电流密度为0.10 A/cm2时,析氢过电位较镀N i电极降低约350 mV。复合电极性能稳定,可作为氯碱工业用活性阴极,能显著降低能耗。 相似文献
10.
采用电化学沉积法,在半导体硅片上制备了具有纳米晶粒尺寸的NiFe缓冲层薄膜,并确定了获得Ni80Fe20合金的工艺条件.由SEM形貌观测分析,当薄膜名义厚度>25 nm时,可形成连续性镀层.I-t暂态曲线及STM结果表明,NiFe薄膜在低过电位下以三维岛状模式生长,在高过电位下以二维层状模式生长,其RMS表面粗糙度最小值仅为0.5 nm.XRD结果表明,薄膜为面心立方Ni基固溶体结构,并具有明显的(111)晶面择优取向.当薄膜组成为Ni80Fe20时,各向异性磁电阻效应(AMR)最大,AMR值为1.8%. 相似文献