首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1435篇
  免费   67篇
  国内免费   47篇
电工技术   140篇
综合类   66篇
化学工业   217篇
金属工艺   91篇
机械仪表   96篇
建筑科学   232篇
矿业工程   67篇
能源动力   35篇
轻工业   133篇
水利工程   53篇
石油天然气   22篇
武器工业   8篇
无线电   126篇
一般工业技术   93篇
冶金工业   75篇
原子能技术   16篇
自动化技术   79篇
  2023年   25篇
  2022年   27篇
  2021年   26篇
  2020年   14篇
  2019年   14篇
  2018年   23篇
  2017年   12篇
  2016年   19篇
  2015年   21篇
  2014年   55篇
  2013年   28篇
  2012年   39篇
  2011年   25篇
  2010年   47篇
  2009年   29篇
  2008年   42篇
  2007年   40篇
  2006年   31篇
  2005年   36篇
  2004年   31篇
  2003年   42篇
  2002年   27篇
  2001年   21篇
  2000年   38篇
  1999年   58篇
  1998年   47篇
  1997年   56篇
  1996年   51篇
  1995年   42篇
  1994年   44篇
  1993年   44篇
  1992年   49篇
  1991年   56篇
  1990年   60篇
  1989年   49篇
  1988年   37篇
  1987年   33篇
  1986年   33篇
  1985年   28篇
  1984年   28篇
  1983年   19篇
  1982年   15篇
  1981年   17篇
  1980年   21篇
  1979年   17篇
  1978年   5篇
  1976年   4篇
  1973年   3篇
  1972年   3篇
  1965年   3篇
排序方式: 共有1549条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
采用辉锑矿为原料成功制备出Cu_(12)Sb_4S_(13)块体。研究以Sb_2S_3矿物为原料时烧结工艺对Cu_(12)Sb_4S_(13)合成的影响。在400 ~ 440℃温度区间内均可快速合成Cu_(12)Sb_4S_(13)块体且二次烧结能够进一步减小中间相CuSbS_2和Cu_3SbS_3。第二相Cu_3SbS_4和残留相CuS随着烧结时间的延长而降低。二次烧结前进行机械化球磨处理,干磨比湿磨更容易减小残留相。初次烧结块体的断面SEM和EDS能谱分析表明内部存在Cu或Cu_2S颗粒团聚现象。适当降低Cu或CuS摩尔量(化学计量比0.1 mol)能促进烧结块表面反应进行。烧结过程中,硫磺蒸汽压的导致烧结块表面成分和内部粉末的成分不同。  相似文献   
2.
一、成型技术:主要介绍了特种陶瓷成型的几种新方法,如括刀法、注射法、冰冻塑注法和卧式离心成型法、有机发泡成型法,以及各种成型方法的基本技术参数、溶剂和增塑剂的种类及选择要点。二、新型成型用模具:  相似文献   
3.
设备的润滑     
  相似文献   
4.
前言自从国际上几乎完全禁止生产和使用Askarel油以来。全世界都关心开发充油变压器和高压电容器不燃性绝缘油,但遗憾的是至今尚未开发出一种取代Askaarel的不燃性绝缘油。结果不得不把粘度50厘斯的二甲基硅油用于充油变压器和高压电容器。另外,国际电工委员会正在建立一项电绝缘油燃烧性试验方法的方案。一般说来,以石油产品自身的闪点和爆炸极限描述其燃烧性的基本原理的研究巳在60年代完成。作者趋向于认为:对于巳经  相似文献   
5.
6.
<正> 复合式掩护筒掘进机,对软地层和表土浅粘性土层的巷道掘进作业特别有效。从前使用的密封地压式掩护筒掘进机如图1所示。该掘进机主体21的前端开口部内的周围由向外倾斜的隔壁24封闭。在隔壁24上设置砂土输入口24a,把螺旋式输送机25的前部设置在输入口24a上,该掘进机通过掩护筒千斤顶29使主体21前进。在开采工作  相似文献   
7.
8.
大朝山水电站的工程地质勘察,在前期勘测和工程施工中都取得了好成绩。回眸勘测人员艰苦奋斗的历程,精心工程地质勘察,循序渐进,勘测与设计的紧密结合是工程勘察成功的关键。电站工程区河谷深切,山高坡陡,交通困难,气候炎热,工程地质条件复杂,但深入勘察研究,充分因地制宜,扬长避短,优选工程设计方案,是能够做出显著成绩的。  相似文献   
9.
10.
业已明了,SOI器件用绝缘物进行元件隔离,可减小电容和布线电容值。所以,人们深信集成电路可达到更加高密度,高速化。大家早就知道,SOI器件有采用在蓝宝石单晶衬底上外延生长单晶硅薄膜的“蓝宝石上硅”(SOS)器件及采用在SiO_2上沉积多晶硅薄膜制作的“绝缘体上硅”(SOI)器件。采用多晶硅薄膜制作的SOI器件与SOS器件相比较,其特点是,由于SOI器件能在非晶形绝缘膜上制作,所以,可采用任意衬底。但存在的问题是,由于其采用的薄膜不是单晶而是多晶,所以晶粒边界会造成载流子紊乱,MOS FET的场效应迁移率与体硅及SOS相比,降低至1%。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号