PVT生长掺V SiC单晶的扫描电镜二次电子像衬度

在用SEM观察沿单晶生长方向切割掺V SiC晶片时,发现其二次电子像存在衬度。表现为先生长部分较明亮,后生长部分较暗淡,中间存在明显突变。在用PVT生长掺V SiC单晶时,SiC单晶中同时含有浅施主N和深受主杂质V是补偿半导体。从补偿半导体载流子浓度计算出发,建立了二次电子像衬度与载流子浓度的对应关系,很好解释了这一实验现象。结果表明,SiC单晶生长过程中随着浅施主N的减少,n型载流子的浓度逐步减少;当其浓度与V相当时,载流子浓度突变,可瞬间减少10个量级,此后又缓慢减少。正是这种载流子的突变引发了扫描电镜二次电子像衬度。     

用体式显微镜研究SiC单晶中的微管缺陷

用拉曼光谱、X射线双晶衍射仪以及体式显微镜,对升华法生长的6H-SiC单晶品质、SiC单晶中的微管缺陷进行表征.通过对SiC单晶腐蚀前后的微管数目比较发现,微管尺寸和其所形成的腐蚀坑大小并不是呈线性关系,腐蚀前后用体式显微镜观察到的微管数目大致相等.从实验数据发现,微管的尺寸有最小值,这给SiC微管密度分布,提供了一种无损检测方法.     

无氧铜密封件漏气原因的金相显微分析

用于电真空器件密封用的无氧铜在使用中漏气,利用金相显微技术对不同氧含量的无氧铜进行对比分析,发现:无氧铜中氧含量偏高,出现"氢病",造成微裂纹,导致无氧铜在使用过程中出现漏气。     

弹簧钩断裂失效分析

弹簧在使用过程中,要承受交变应力的作用,故而对材料疲劳强度有着很高的要求。不当的热处理和加工工艺会严重降低弹簧的疲劳强度,从而使弹簧过早地产生疲劳断裂失效。本文使用扫描电子显微镜对弹簧断口进行观察分析,找出断裂原因,为改进工艺提供依据。     

物理汽相传输法生长掺钒碳化硅单晶新鲜表面的实验研究

采用SEM观察物理汽相传输(PVT)法生长掺钒SiC单晶新鲜表面时,发现有特定形状的析出相,经SIMS、SEM能谱(EDX)、XRD、台阶仪综合分析,确定析出相的主要成分是钒,且是凸起的,推断其在单晶生长降温过程中产生。     

冷凝铜管腐蚀现象显微分析

基于现代分析测试结果,分析制冷机冷凝器铜管电化学腐蚀机理。铜管的结构缺陷和加工缺陷引起冷却水中Fe3+离子沉积,从而发生氧化-还原反应及随后的电化学腐蚀,造成铜管壁穿孔;R22和冷冻机油进入冷却水系统中,提高循环冷却水酸性,加速冷却水管路腐蚀,给冷却水带来更多Fe3+,进而加速铜管腐蚀,造成制冷机失效。     

掺V 6H-SiC单晶生长表面V析出相研究

采用扫描电镜(SEM)和光学显微镜(OM)观察物理气相传输(PVT)法生长掺V6H-SiC单晶新鲜表面时,发现具有特定形状的析出相,经SEM能谱(EDX)测试确定析出相的主要成分是V,推断其在单晶生长结束后的降温过程中产生。通过对V析出相的进一步研究发现其在数量、尺寸以及方向上都与单晶生长中心具有一定的关系,具有特定的分布规律,任何一个视场,析出相的取向只有两种,且数量相当,这一结果说明结晶动力学对V的掺入具有一定的影响;当结晶温度较高时,这种影响不明显,但随着结晶区温度的降低,影响加剧,从而出现析出相,且析出相的结晶行为完全受晶体表面形貌的制约。     

Si3N4钝化层质量分析研究

采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)、二次离子质谱仪(SIMS)等多种微分析手段对失效器件芯片表面生成物产生原因进行了分析,同时结合器件制备工艺和器件可靠性实验分析了Si3N4钝化层质量与工艺的关系.通过大量分析实验,确定了器件失效的重要原因是Si3N4钝化层存在缺陷而导致器件因表面漏电而失效.实验结果表明,将Si3N4钝化层中SiOx含量控制在10%以下,器件管壳内水分控制在1%以下,器件经过100O h电老化后芯片表面无生成物产生.     

SiC抛光片表面氧化行为的XPSS、EM研究

本文利用扫描电子显微镜和X光电子能谱研究SiC抛光片表面氧化行为,发现Si面比C面的氧化更显著,产生更多的氧化产物,提出利用扫描电子显微镜和X光电子能谱来鉴别SiC晶片的Si面和C面的新方法。     

钨带冷弯时断裂原因分析

钨带在90°弯曲时发生断裂,通过分析发现,断裂钨带碳含量偏高,断口处分层并呈蜂窝式片状形貌,断口附近金相组织也显示出明显的带状组织,断口处组织呈纤维状,断口为脆性断口。建议将材料含量控制在0.0050%以下,在90°弯曲时加热,加热温度在650～800℃,以降低钨带的脆性,增加弯曲时的韧性,提高成品率。