基于高海拔地区的大气中子单粒子效应实时测量试验研究

开展65 nm高速大容量静态随机存取存储器（SRAM）大气中子单粒子效应特性及试验评价技术研究,基于4 300 m高海拔地区大面积器件阵列实时测量试验,突破效应甄别、智能远程测控等关键技术,在153 d的试验时间内共观测到错误43次,其中器件内单粒子翻转39次,多单元翻转（MCU）在单粒子翻转中占比23%,最大的MCU为9位。对高能中子、热中子和封装α粒子的贡献比例进行了分析,并基于多地中子通量数据,推演得到北京地面和10 km高空应用时的单位翻转（SBU）和MCU失效率（FIT）。发现地面处软错误的主要诱因为封装α粒子,随着海拔的增高,大气中子对软错误的贡献比例明显增大;MCU全部由高能中子引起,北京10 km高空处的MCU FIT值明显增大,其占比由地面的8%增大至26%。结合器件版图布局,对MCU产生机理进行了深入分析。最后,提出一种目标导向的存储器软错误加固策略优化方法。     

冲裁模刃口尺寸图解计算法

<正> 冲裁模刃口尺寸计算是冲模设计人员经常遇到的一种基本计算。目前一般冲模设计资料上计算冲裁模刃口尺寸采用如下公式: 落料:D=(φ-XΔ)+δ凹 d=(D-Z_(min))-δ凸 冲孔:d=(φ+XΔ)-δ凸 D=(D+Z_(min))+δ凸 式中:D——凹模基本尺寸 d——凸模基本尺寸 δ凹——凹模公差 δ凹——凸模公差     

薄层金属晶粒结构定量分析技术研究

本文论述了薄层金属晶粒结构定量分析技术的重要性，国内外研究动态，并结合本实验室的软，硬件，阐述了计算机图像分析技术的测试原理，测试程序，同时给出了应用实例，取得了有意义的结果。     

城市广场绿化种植及人性化设计分析

根据城市化的进程在逐步的加快,人们的生活环境与生活质量都发生了相当大的变化。而如今的城市广场是城市居民生活的重要活动场所,其中的环境与绿化的好坏都会直接的影响着市民的生活质量。在城市中能源、资源以及生态环境问题引起人们对城市社会、自然问题的高度重视。为了广大人群能享受到更好的城市生活,就一定要选择能够让城市、人类、与自然和谐共存的长久发展之路,以全新的人性化设计理念为基础。而且在现代城市的设计中,城市广场现已成为城市开放空间系统中极为重要的组成部分之一。     

CMOS存储器IDD频谱图形测试

通过对CMOS存储器IDD频谱图形测试过程的介绍,测试及试验数据证实CMOS存储器IDD频谱图形测试是可行的。     

文件型病毒的一种防治方法

在当今计算机病毒泛滥的年代,计算机病毒的确造成了很大的破坏,常常令人谈“毒”色变.但我单位的公用计算机却很少受到病毒的困扰,主要是我们做了较好的预防措施,所以病毒较难传播.因此,在病毒防治中最重要的是做好预防措施.按病毒的引导方式划分,病毒可分为引导型、文件外壳型、复合型.引导型的病毒防治很简单,只要在硬盘分区后立即用NU或PCTOOLS等工具备份硬盘主引导区     

电路板级互连焊点故障监测和预警

针对互连焊点在长期应力作用下的蠕变失效,探讨了焊点阻值退化的一般性趋势,在此基础上提出了一种基于电阻电桥原理的焊点故障监测和预警电路设计方案,并基于电子产品可靠性保障工程应用,讨论了电路板级互连焊点故障监测和预警电路的实现路径的方法。嵌入式监测电路在电阻缓慢退化阶段和快速退化阶段设置合理的监测起始和终止点,适合对服役中的焊点健康状况进行实时监测和评估。同时,电路具有预警功能,在焊点电性能退化的初期发出预警,并实时采集焊点阻值数据用于焊点剩余寿命的预测,以实现焊点退化的及时预警和退化焊点剩余寿命的预计。     

集成电路ESD设计验证技术

传输线脉冲(TLP)测试是当前电路设计工程师研究ESD保护器件特性和进行ESD加固设计的有力工具.分析了ESD应力作用下MOSFET的工作原理,指出精确测试保护器件或电路在ESD大电流应力下的I-V特性曲线,提取特征参数,将有利于ESD加固设计的一次成功;通过对典型TLP测试波形的分析,将TLP试验与器件的大电流响应建立联系;最后对扩散电阻和nMOSFET的TLP典型I-V特性进行了分析,并给出了实际的设计参数.     

冲裁模刃口尺寸的设计

要获得高质量的冲裁工件,保证冲模有足够的寿命,必须正确计算冲裁模具刃口尺寸和合理选用冲裁间隙。当前冲裁模刃口尺寸计算方法,容易出现冲模使用寿命达不到设计要求,工件尺寸超差或一套冲模冲下的一批工件尺寸分布不够合理等现象。通常对冲裁模具刃口尺寸计算,既要保证工件精度,又要最大限度提高模具的使用寿命;同时,还要考虑模具加工的经济性。     

栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响

采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击穿电流It2越大;其原因可能与薄硅层中的热分布有关。