低能电子束光刻的Monte Carlo模拟

利用Mott截面和介电函数模型,借助Monte Carlo方法模拟了电子在光刻胶PMMA和衬底中的弹性散射和非弹性散射.通过统计电子的能量沉积分布,发现低能电子的大部分能量沉积在光刻胶中而非衬底,所以在电子束光刻中有着更高的效率.并且还得到了在不同的入射电子能量下,光刻胶完全曝光所对应的的最佳厚度.     

低能电子光刻的蒙特卡罗模拟

Electron beam lithography(EBL)has been playing an important role in the fabrication of large-scale integrated semiconductor devices because of its high resolution.Although high-energy electrons are widely employed in the present EBL system,high-energy electrons can penetrate through the resist layer,lose most of their energies in the substrate and,thus,cause damage to the underlying substrate.     

电子束光刻中邻近效应的Monte Carlo模拟

电子束光刻不受衍射效应的限制，具有高分辨率和能产生特征尺寸在100nm以下图形的优点。目前，国际上正在将角度限制散射的投影电子束光刻技术作为21世纪100纳米以下器件大规模生产的主流光刻技术进行重点开发。     

基于ANSYS Workbench的汽车滑轨自动注油装置中喷油嘴低速碰撞分析

喷油嘴是汽车滑轨自动注油装置中的重要部件之一,其强度和刚度决定了注油的效果.建立了喷油嘴的模型,利用ANSYS Workbench软件的分析功能对喷油嘴进行碰撞仿真分析,得出其应力应变分布图,并对其进行了变形分析及优化.对优化前后的参数和所得的结果进行比较可知,降低喷油嘴的移动速度可以减小喷油嘴的最大应力和喷油嘴碰撞后的塑性变形.     

电子束光刻中邻近效应校正的几种方法

本文简要介绍了限制电子束光刻分辨率的主要因素之一-邻近效应的产生机制,列举了校正邻近效应的GHOST法、图形区密集度分布法和掩模图形形状改变法,介绍了每种方法的原理、步骤和效果,比较了它们各自的优缺点.     

基于SoC的数据采集与交互系统设计

为了解决检测设备接入Ethernet,设计了一种基于SmartFusion2的SoC的数据采集与交互系统,完成设备数据信息的采集及处理并实现远程数据交互与共享。系统以SmartFusion2的FPGA器件为核心,将现场检测设备得到的数据经过Ethernet以网页的形式在PC上显示。反之,以同样的路径将主控的指令传输到外部的终端设备。通过一智能家居系统的实际运行测试,系统具有安全、可靠、稳定的特点。     

图形改正方法在邻近效应修正中的应用

本文利用双高斯形式的邻近函数来表达电子束在抗蚀剂中能量的分布,并以邻近函数为基础计算一些简单图形在曝光时所需的尺寸改变量.通过与实验的比较来说明该方法的可靠性,并对所得结果进行讨论和分析.     

电子束刻蚀中邻近效应的修正

以拓展的三高斯邻近效应函数为基础,利用空间图形密度方法对电子刻蚀中的邻近效应进行修正,并对该方法的原理及实现步骤进行了较为详细的介绍．通过和传统的邻近函数为基础得到的修正结果相比,经过拓展后的邻近函数有着更好的修正效果．     

手工拼版方法知识积累

制版工序质量控制对印刷质量的影响最直接,也是受人为因素影响最多的工序,一旦出错就不易弥补,质量控制相对较难.需要制版人员具有较稳定的、专业的、全面的技能,并不断加强自身素质的培养.