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机械仪表
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1982年
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1.
SIMS中二次离子离化率补偿法——硅中硼的定量分析
田村一二三
问田博
泉荣一
李之仁
胡殿国
杨存安
顾锋
李昆昆
胡玉珍
《质谱学报》
1982,(2)
1.引言二次离子质谱分析法(SIMS)不但灵敏度高,而且可以测定特征元素的深度分布,这是其它类似装置所没有的。目前这种分析法在半导体材料领域里得到了广泛的应用。但是这种分析方法在绝对定量方面存在困难。目前SIMS正在研究的实用定量分析方法有三种:(1)曲线法;(2)热力学解析法和(3)MISR(Matrix Ion Species Ratio)方
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