Ni/Ti/Si形成硅化物的特性分析

随着MOSFET的特征尺寸进入20nm技术节点,源漏接触电阻成为源漏寄生电阻的主导部分,后栅工艺对硅化物的高温特性提出了更高的要求。分析了Ni/Ti/Si结构在不同温度退火下形成的硅化物的薄膜特性和方块电阻。分别采用J-V和C-V方法,提取硅化物与n-Si(100)接触的势垒高度。Ni/Ti/Si结构形成的镍硅化物在高温下具有良好的薄膜特性,并且可以得到低势垒的肖特基接触。随着退火温度的升高,势垒高度逐渐降低。研究了界面态的影响,在低于650℃的温度下退火,界面态密度随退火温度升高而逐渐增大,高于750℃后,界面电荷极性翻转。     

直齿面齿轮高精度电解加工阴极型面设计方法研究

直齿面齿轮的齿面是一种复杂空间曲面,为了实现难切削材料的复杂曲面产品的批量加工,目前主要以电解加工技术为主;考虑到电解加工在复杂异面类产品的加工中存在阴极设计效率低,精度难以保证等问题,提出一种基于标准阴极特性的阴极型面智能设计方法。首先,基于复杂齿面网格规划原则对直齿面齿轮的齿面点进行合理规划,并采用截面放样法计算各采样齿面点坐标;其次,通过分析各齿面采样点所在型面的曲率半径,利用电解加工平衡间隙理论构建针对不同曲率情况下的相应阴极刀具型面设计方案;最后,利用Matlab中的GUI人机交互界面构建直齿面齿轮的智能化阴极刀具型面设计系统。通过加工实验可知,利用该系统设计出的阴极型面,其加工精度可达IT8。     

硅基不同晶面上的空穴迁移率研究

近年来,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸减小并进入纳米尺度,为了改善器件的短沟道效应,器件由原来的平面结构改为立体结构。而在立体结构器件中,沟道由不同于传统Si(100)晶面的Si晶面所组成。因此,为了了解不同Si晶面上器件反型层空穴迁移率的变化情况,在不同晶面Si衬底上分别制作了pMOSFET,并研究了器件的空穴迁移率。采用Split C-V方法测试了Si(100),(110),(111)和(112)晶面上器件的空穴迁移率。结果表明,Si(110)晶面上的空穴迁移率最大,Si(112)晶面上<111>沟道方向空穴迁移率比(110)晶面上空穴迁移率小,而略大于(100)和(111)晶面上的空穴迁移率,(100)晶面上的空穴迁移率最小。     

整体叶轮的逆向数据采集和模型重建

研究利用逆向工程技术来实现某整体式叶轮模型的重建。通过XTOM教育型面扫描系统对整体式叶轮模型点云数据进行采集,并基于Imageware数据处理软件对叶轮点云数据进行处理,结合旋转法和截面放样法对轮毂和叶片曲面进行创建,在误差控制条件下最终实现叶轮模型精确重建。