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本文通过快原子轰击质谱研究[Mo_3S_7(dtp)_3]Cl(dtp=S_2P(OEt)_2),获得去Cl原子含有簇芯Mo_3S_7的系列碎片离子。又通过化学衍生方法,对难汽化的[Mo_2S_4(dtp)_4)Py簇合物进行化学修饰,获得易挥发的[Mo_3S_4(RCO_2)(dtp)_3]Py,其中R=H,C_2H_5,Py=NC_5H_5。该簇合物的电子轰击谱表明,除按正常的单分子分解而出现的系列碎片离子外,还发现该簇合物中μ_3—S被μ_3—O取代质量数相差16amu系列碎片离子簇峰即[Mo_3OS_3(RCO_2)_(1→0)(dtp)_(3→2)]~ 。最后,对O帽取代S帽的可能机制作了探讨。 相似文献
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有关过渡金属簇合物的'活性元件'组装设想提出后,围绕它而进行的种种设计合成打破了以往那种自兜反应(一种机制未明反应)的盲目性,为化学合成打开了一条新途径。但'活性元件'究为何物,它又如何进行组装,这正是合成化学工作者所望解决的。由于质谱法的特点,采用质谤法有可能为'活性元件'或反应中间物种提供有价值的信息,为簇骼转换提供理论依据。本文在三核钼簇合物研究[1]基础上继续对二核钼和四核钼簇合物作进一步的质谱研究。 相似文献
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本文选择质量为1460μ且金属原子具有三种不同配位环境的四核钴铁簇合物Co3Fe(mp)4(Hmp)(PBu^n3)3(Hmp=2-巯基苯酚,PBu^n3=正三丁基膦)为研究对象,以快原子轰击软电离方法,研究其质谱断裂行为及其可能的裂银途径。 相似文献
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本文报道了标题簇合物阴离子[V2Fe2S4(Me2dtc)5]-在FAB质谱条件下,存在两种不同的质谱断裂方式:(1)保持簇阴离子骨架,逐步失去配体Me2dtc或其它碎片NMe2而生成的各级碎片离子;(2)破坏簇阴离子[V2Fe2S4(Me2dic)5]的骨架,即沿簇阴离子的薄弱的M(金属)-S(无机硫)键,劈裂为两个亚簇而产生的碎片离子,以及由碎片重组反应而生成的碎片离子m/z296(8.47%)Fe(Me2dtc)2.本文还讨论了簇阴离子在簇解还原过程中,金属原子及其簇芯表观氧化态变化。 相似文献