全文获取类型
收费全文 | 89篇 |
免费 | 2篇 |
国内免费 | 11篇 |
专业分类
综合类 | 1篇 |
机械仪表 | 3篇 |
无线电 | 34篇 |
一般工业技术 | 64篇 |
出版年
2018年 | 1篇 |
2009年 | 1篇 |
2006年 | 6篇 |
2005年 | 1篇 |
2004年 | 6篇 |
2003年 | 19篇 |
2002年 | 5篇 |
2001年 | 8篇 |
2000年 | 5篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 6篇 |
1997年 | 5篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 4篇 |
1993年 | 6篇 |
1992年 | 4篇 |
1991年 | 1篇 |
1990年 | 2篇 |
1988年 | 3篇 |
1987年 | 5篇 |
1986年 | 1篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
排序方式: 共有102条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
单壁碳纳米管的制备及生长特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用Fe/MgO作为催化剂 ,催化裂解CH4制备了较纯的单壁碳纳米管 ,用TEM和Raman对碳纳米管进行了表征 ,对不同生长温度下制备的碳纳米管Raman径向呼吸振动峰 (RBM)进行了分析 ,研究了生长温度对单壁碳纳米管生长特性和结构特性的影响 相似文献
2.
用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)研究了金属富勒烯分子Gd@C82在Si(111)7×7重构表面的吸附特性和电学特性.STM形貌像显示Gd@C82分子和Si基底之间相互作用较强,Gd@C82分子吸附在Si基底的三种特定的位置上,其中在Si(111)7×7单胞内三个顶戴原子间的吸附位最稳定.扫描隧道谱(STS)的测量显示Gd@C82分子呈现半导体特性.分子表面局域电子态密度(LDOS)在Gd附近受到Gd与碳笼间电子转移的影响,发生显著变化. 相似文献
4.
在比较三代电子器件的基础上,说明纳电子器件是电子器件发展的新一代,它的主要特征是单电子行为和显著的量子效应.与真空电子器件、微电子器件相比,纳电子器件在信号加工中的主要特性有:(1)单电子,(2)保有相位,(3)量子电阻(h/e2),(4)量子字节(qubit),(5)普适电导涨落.电子器件的基本元件是具有信号放大能力的三极管,目前纳电子三极管有两种模式:纳米点三极管和碳纳米管三极管.文中重点讨论了构造纳电子三极管中的碳纳米材料的结构和特性. 相似文献
6.
7.
8.
9.
扫描隧道显微镜(STM)是对材料表面进行表面修饰(surface modification)和表面原子操纵(atomcraft)的重要工具。为了了解其机理,选择了场蒸发阈值从大到小有代表性的钨、铂、金、铜做针尖,扫描过程中在针尖与石墨表面之间施加针尖为正的脉冲电压,获得了一些新现象,并对实验结果作了比较,从而在一定程度上确定了脉冲制STM表面修饰实验中针尖与样品之间电场的重要作用。 相似文献
10.