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包装减量化现状及思考 总被引:2,自引:0,他引:2
包装减量化是实现绿色包装的重要途径。论文分析了国内外包装减量化状况,列举了薄壁化技术、包装层数和包装体积减量化、包装材料结构优化设计、材料选配轻量化、化零为整集装化等几种可实现包装减量化的方法,并提出减量需与资源循环利用相平衡,应利用高新技术和法律手段共同促进减量化的发展。 相似文献
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通过比较微量铜铁单独存在和共存时对p-型硅片表面的污染,采用电化学直流极化和交流阻抗技术以及SEM、EDX和AES等现代表面分析技术,对未污染和受污染的硅片表面进行了初步的研究.结果表明,当氢氟酸溶液中同时含有ppb-水平(10-9)的铜铁杂质时,不但铜会沉积在硅片表面上发生铜污染,而且还导致硅片表面的碳污染,并从电化学极化电阻、元素深度分布和空间电荷效应等方面对硅片表面铜与碳污染进行了初步的分析和讨论. 相似文献
3.
Though high accuracy of the thermal contour was obtained while adopting finite element method, it could not meet the real-time
requirement. One-dimensional finite difference method could realize real-time control in the case of neglecting both the circumferential
and radical heat exchange, but the over-simplified modes resulted in poor accuracy. And two-dimensional full explicit difference
was also limited in practical application since its time step was restricted to keep the model stable. Consequently, a new
method of alternating direction finite difference was introduced and discussed in the model’s stability, calculating speed
and precision. Specific work roll after one real rolling unit was researched, The result shows that error of temperature on
work roll surface between measured and calculated values is within 5 °C. The influence of rolling rhythm and strip width on
thermal crown was also studied. The conclusion is verified theoretically and practically that it can maintain absolutely stable
and meet the online requirement. 相似文献
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本文在探讨灵感和灵感思维产生机制的基础上,结合服装风格考量要素,讨论了灵感在服装设计过程中的具体应用,旨在通过灵感思维激发、丰富和深化服装设计产品,寻求服装设计灵感来源与风格形成之间的联系。 相似文献
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综述了近10年来国内外在半导体硅片金属微观污染研究领域的进展.研究了单金属特别是铜的沉积、形成机理和动力学以及采用的研究方法和分析测试手段,包括对电化学参数和物理参数等研究.指出了随着科学技术的不断发展,金属污染金属检测手段也得到了丰富,为金属微观污染的研究提供了有力的工具. 相似文献
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7.
服装流行色视觉评价能够全面、系统、深入的认识服装流行色,为此要构建起服装流行色视觉评价体系。文章就服装流行色视觉评价体系中的评价的内容、评价的方法、评价的实施进行了分析。认为评价的内容包括服装色彩所处的视觉状态,服装流行色存在的视觉形式;评价的方法应采用定量与定性相结合的方法;评价的实施主要分为专业性评价和非专业性评价,个体基础性的评价和集体结论性的评价。 相似文献
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9.
介绍了单级功率因数控制器NCP1652的结构、主要特点及基于NCP1652的90 W通用输入单级PFC变换器原理与设计。 相似文献
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通过比较微量铜铁单独存在和共存时对p型硅片表面的污染,采用电化学直流极化和交流阻抗技术以及SEM、EDX和AES等现代表面分析技术,对未污染和受污染的硅片表面进行了初步的研究.结果表明,当氢氟酸溶液中同时含有ppb水平(1e-9)的铜铁杂质时,不但铜会沉积在硅片表面上发生铜污染,而且还导致硅片表面的碳污染,并从电化学极化电阻、元素深度分布和空间电荷效应等方面对硅片表面铜与碳污染进行了初步的分析和讨论. 相似文献