洋葱碳的制备与应用研究进展

洋葱碳独特的结构, 使其具有优异的物理化学性能。本文首先介绍了洋葱碳的分类和结构, 对几种传统的制备方法(包括电弧放电法、等离子体、电子束辐射、化学气相沉积、纳米金刚石真空退火、热解法)的优缺点进行归纳、总结。其次, 介绍了近年来发展起来的制备方法。随后,对近年来洋葱碳在锂离子二次电池负极、染料敏化太阳能电池对电极、电化学储氢电极、超级电容器电极、摩擦和磨损、催化领域的应用做一概述。最后, 指出了目前洋葱碳在制备和应用方面的不足, 对今后的研究做了展望。     

聚晶金刚石的高温高压制备及其性能研究进展

聚晶金刚石(PCD)刀具在加工非铁基材料时,尤其是一些超硬、耐磨材料时,其寿命和加工精度远高于传统刀具。聚晶金刚石的性能与原材料和烧结条件密切相关。概述了不同因素对以陶瓷为粘结剂的聚晶金刚石和无粘结剂的纳米聚晶金刚石的硬度、断裂韧性的影响并比较了不同种类PCD的热稳定性能。分析得到以过渡金属硼化物和碳化硅为粘结剂所制备的PCD的热稳定性能较好,优于以钴为粘结剂制备的PCD;在Hall-Petch定律作用下,以纳米尺寸陶瓷为粘结剂的PCD硬度更高,韧性更强;无粘接剂的纳米聚晶金刚石的力学、热学性能最为优异。最后,结合实际应用对聚晶金刚石的制备提出了参考性的建议。     

天然气吸附储存技术

1 技术简介吸附储存天然气 (ＡＮＧ)技术是在储罐中装入高比表面的天然气专用吸附剂 ,利用其巨大的内表面积和丰富的微孔结构 ,在常温、中压 ( 6 0ＭＰａ)下将天然气吸附储存的技术。当储罐中压力低于外界时 ,气体被吸附在吸附剂固体微孔的表面 ,借以储存 ;当外界的压力低于储罐中压力时 ,气体从吸附剂固体表面脱附而出供应外界。与压缩天然气相比 ,ＡＮＧ具有投资和操作费用降低 50 % ,储罐形状和材质选择余地大 ,质轻 ,低压 ,使用方便和安全可靠等优点 ,其技术关键是开发甲烷吸附量高的天然气专用吸附剂。ＡＮＧ吸附剂的性能通常以 2 5℃…     

DLC膜涂层硬质合金刀具的研究进展

类金刚石(DLC)膜涂层刀具的硬度高、摩擦系数低、耐摩擦和耐腐蚀性能强、抗粘结性能好,并且可以用来制作复杂、异型刀具,是未来刀具的一个重要发展方向。本文介绍了DLC膜的表面显微结构和Raman光谱并列举了DLC的制备方法 (包括磁控溅射、离子束沉积、脉冲激光沉积、真空阴极电弧沉积、等离子体增强型化学气相沉积)与分类。从酸蚀法、施加过渡层、表面微喷砂处理和掺杂4个方面分析如何提高膜基结合力,探讨了DLC膜的摩擦性能受湿度、温度和加工条件的影响。例举了几个国内外DLC涂层硬质合金刀具的使用范例,指出了目前研究工作的不足之处,提出了下一步研究工作的重点是优化DLC膜的制备工艺、提高膜基结合力和热稳定性以及加强DLC涂层硬质合金刀具的磨损机理研究。     

基于MATLAB的特高压断路器瞬态恢复电压研究

瞬态恢复电压(TRV)是断路器开断的重要参数,同时也是引起断路器故障的主要原因之一,特高压的电压等级较高,使得TRV更加严重,应该进行认真研究。依据瞬态恢复电压的研究现状,使用MATLAB/Simulink建立一条特高压交流输电线路模型,在不同位置设置不同的故障类型,仿真结果表明在断路器端部发生三相短路时的TRV峰值最大,并给出断路器端部发生三相短路时的TRV波形和短路电流波形。在断路器端部发生三相短路故障时,产生的TRV最严重,其幅值和上升率均超过IEC和国家标准标准值,严重考验着断路器的开断能力和抗压能力。给出了相应的抑制断路器TRV的措施。     

特高压换流站二次系统网络方案研究

作为特高压直流输电系统中进行交直流转换的关键环节,特高压换流站在电力系统安全稳定运行及电力供给等方面起到关键作用。鉴于此,通过详细分析主流直流控保设备的网络布置特点,调研以往工程网络布置情况,根据某工程设备配置进行计算,结合陕北—安徽±800 kV直流工程特点对二次系统网络的分层、功能及通信方式等进行了详细阐述,最终确定最优设计方案。研究主要内容包括特高压换流站运行人员控制层网络研究、特高压换流站控制层网络研究、特高压换流站就地层网络研究以及本工程网络设备配置要素研究。     

Dry Etching Characteristics of Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin Films

Amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO) thin-film transistor (TFT) back-plane technology is the best candidate for flat panel displays (FPDs).In this paper,a-IGZO TFT structures are described.The effects of etch parameters (rf power,dc-bias voltage and gas pres-sure) on the etch rate and etch profile are discussed.Three kinds of gas mixtures are compared in the dry etching process of a-IGZO thin films.Lastly,three problems are pointed out that need to be addressed in the dry etching process of a-IGZO TFTs.