Effects of precursor solution concentration on dielectric properties of （Pb,La） （Zr,Ti）O3 antiferroelectric thick films by sol-gel processing

Pb0.97 La0.02 Zr0.95 Ti0.05 O3 （PLZT） antiferroelectric thick films derived from different precursor solution concentrations are prepared on platinized silicon substrates by sol-gel processing.The films present polycrystalline perovskite structure with a （100） preferred orientation by X-ray diffraction （XRD） analysis.The antiferroelectricity of the films is confirmed by the double hysteresis behaviors of polarization and double-bufferfly response of dielectric constant under the applied electrical field.Antiferroelectric properties and dielectric constant are improved while the polarization characteristic values are reduced with the increase of precursor solution concentration.The films at higher precursor solution concentration exhibit excellent dielectric properties.     

MEMS超级电容器研究进展

基于微机电系统(Micro-electro-mechanical systems,MEMS)技术的微型超级电容器是一种以微纳米结构形式实现储能的微型能量存储器件,具有高比容量、高储能密度和高抗过载能力等特点,在MEMS微电源系统、引信系统以及物联网等技术领域具有广泛的应用前景。分析了超级电容器的基本原理和种类,系统综述了MEMS超级电容器的国内外研究现状,重点讨论了基于MEMS加工技术的超级电容器制造方法和优势,从材料、结构设计、加工工艺方面分析了MEMS超级电容器存在的技术瓶颈问题,并展望了其未来的发展趋势和应用需求。     

高深宽比硅基微纳结构制造方法及其应用

三维高深宽比硅基结构是基于微纳制造技术的功能载体或执行机构。其由于小尺寸特征而获得特殊的微纳效应,具有灵敏度高、分辨率高、噪声低、位移量小等特点,在光电、生物、微能源和集成互连等技术领域具有广泛应用前景。主要分析了高深宽比硅基微纳结构的种类及特点;系统综述了该结构的制造方法及国内外研究现状;详细描述了不同外形特征结构的应用领域;从工艺标准、建模仿真、批量生产等方面讨论了高深宽比硅基微纳结构制造存在的技术瓶颈问题,并对高深宽比硅基微纳结构的可靠制造与发展趋势进行了展望。