用背散射测量砷注入单晶硅中的浓度分布

将能量为150KeV、剂量为10~(14)～17~(17)/cm~2的砷离子注入(100)P型单晶硅,用～1.8MeV的He~ 束对注入砷的单晶硅进行背散射测量。讨论不同剂量和不同退火条件对砷在硅中浓度分布的影响。结果表明:R_P值随注入剂量的增加而逐渐减少,当剂量>5×10~6离子/cm~2时,变化更为显著。当热退火温度低于950℃时,砷的分布改变不明显,温度>1000℃时,分布曲线便偏离高斯分布。     

MOS-TTL接口电路

本文介绍的MOS—TTL接口电路是我所1977年设计和研制的新产品之一——PM901。经过一年多来的整机试用,证明性能良好,稳定可靠。为了满足用户提出的要求,在此作扼要介绍。     

三态门电路及其应用

随着数字系统和数据通信系统越来越多地采用总线结构形式,而且要求数据传输速度快,这样,以往使用的集电极开路形式的电路便难以满足要求,因而以三态门电路代之。顾名思义,三态门电路具有导通、截止和高阻(Hi—Z)三种状态。它比起普通门电路的基本差别是:输出端状态通过输入控制端来     

建议加速发展数字式面板表

近十年来,大规模集成电路工艺技术的迅速发展,引起了仪器仪表产品结构的更新换代。数字式面板表便是一例,国外一些工业比较先进的国家,已经普遍采用它代替指针式面板表。一、数字式面板表简介数字式面板表又称数字式安装仪表(简称 DPM),出现于1967年前后,1970年以后迅速发展起来。半导体器件厂家为数字式而板表设计、生产了专用大规模集成电路,     

国外汽车电子学的进展

自从1960年在汽车上首次运用半导体技术作整流元件以交流整流发电机逐渐取代传统的直流发电机,直到目前日益采用微处理器控制发动机闭环系统,在这短短的二十年期间,电子学和汽车技术相结合,已形成了一门新兴的学科——汽车电子学。回顾汽车电器和电子装置发展的历史,1885年首先在奥托循环的汽车上出现了凯特林发明的电气点火系统。1912年在汽车上开始使用了蓄电池、发电机、起动机及灯等电气设备。1930年收音机开始作为商品性的任选设备出现于汽车上。1960年美国通用汽车     

国外大规模集成电路最近发展动向

一、前言集成电路的概念出现于五十年代初期,到1961年,美国德克萨斯仪器公司首先试制成功能实际工作的单片半导体集成电路的样品。这种电路一问世,就具有许多独特的优点而被人们所重视,发展极为迅速,在一块硅片上所做的元件数目(简称集成度)已从最初的十几个的小规模集成电路(SSI),发展到中规模集成电路(MSI),大规模集成电路(LSI),目前已进入一个新的阶段,研究和发展超大规模集成电路(VLSI)。集成度的增长速度,从1961年开始出现集成电路到现在,差不多平均每年增     

国外A/D、D/A变换器发展概况

本文对目前国外生产的A/D变换器以速度快慢进行分类。并介绍每类A/D变换器的各种变换原理、特征、应用范围,列表介绍各类典型产品及其生产厂家,最后简述A/D、D/A变换器的发展概况。     

高能离子注入场区和掺杂的N-MOS工艺

本文讨论制造铝栅N沟MOS电路具有增强和耗尽型器件时使用的5次掩模6次掩模(则多一道热氧化版)的制造方法,这种器件工作时,用单一的正5伏电源供电。离子注入分两步进行,高能硼注入用以掺杂表面,磷注入则形成耗尽型器件。注入硼是为了防止在高阻P型硅衬底上表面反型,并调节增强型器件的阈值。双电荷硼(B~(++))在210仟电子伏特的能量下穿透过9000埃厚的氧化层。这使注入离子分布的峰值刚好是在硅表面的内部。本文主要讨论用这方法制造的MOS/LSI电路增强和耗尽型器件的性能。