硅腐蚀停止技术制备超薄硅膜中的分形现象

利用浓硼扩散腐蚀停止技术制备自由悬空硅薄膜时,在薄膜的表面观察到了呈分形生长的反应生成络合物聚集结构.研究表明,薄膜表面的生成物的分形属于典型的有限扩散集团凝聚模型,其分形维数值约为1.667.实验还发现,反应生成络合物的聚集结构以及能否产生聚集都受腐蚀腔体的深宽比影响.     

一种新型键合工艺的理论和实验研究

为了实现在较低超净环境下的硅／硅直接键合,提出了在乙醇的环境中进行硅／硅键合的方法,并建立了合理的物理模型,在常温、常压和低于10万级超净环境下,用普通的国产硅片进行了无水乙醇环境下的硅／硅直接键合实验.键合后进行了拉力强度测试和SEM观测,发现界面没有孔洞,说明键合质量达到了要求.拉力测试结果表明,其键合强度达到了10MPa,初步验证了该方法的可行性.     

新型室温中远波段红外探测器的关键工艺研究

介绍了一种基于MEMS技术的新型室温中远红外波段硅基电容式红外探测器原理和制作工艺过程，并详细介绍了针对单面光刻机而采用的对准孔双面对准和键合对准技术、浓硼扩散FLPW腐蚀停止技术制备超薄敏感硅膜以及薄膜的疏水处理等关键工艺。还对各环节所遇到的问题和其相应的解决方法进行了详细地阐述。     

MEMS技术在非制冷红外探测器中的应用

随着微探测器的广泛应用,MEMS技术因其微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等特点,被越来越多地应用于微探测器的制造工艺中,为该领域的研究提供了新途径.本文简要介绍了MEMS技术的工艺及其主要特点,并对MEMS技术在非制冷红外探测器研制方面的应用作了比较详细的阐述.     

激光熔融键合在新型室温红外探测器的应用

运用Nd：YAG激光在功率300W、光束运动速度为0．05m／s、光束直径为700μm的条件下能得到键合强度平均为9．3MPa的硅／玻璃熔融键合效果。该键合方法能进行选择区域键合,完全避免了由于键合过程中电场给超薄敏感可动微结构带来的畸变甚至失效,为新型室温红外探测器的研制奠定了良好的工艺基础。     

激光在MEMS键合技术中的应用

键合技术已经广泛地应用于微电子机械系统(MEMS)领域,但传统的键合技术由于其缺点,限制了其应用范围,而激光以其独特的优势在键合技术中得到了人们的重视.文章介绍了激光在键合技术中的应用及其原理,以及今后发展的方向.     

硅腐蚀停止技术制备超薄硅膜中的分形现象

利用浓硼扩散腐蚀停止技术制备自由悬空硅薄膜时,在薄膜的表面观察到了呈分形生长的反应生成络合物聚集结构．研究表明,薄膜表面的生成物的分形属于典型的有限扩散集团凝聚模型,其分形维数值约为1.667．实验还发现,反应生成络合物的聚集结构以及能否产生聚集都受腐蚀腔体的深宽比影响．     

用于高灵敏度红外探测器的超薄硅膜的研制

超薄、平整的硅膜对于制作高灵敏度红外探测器是非常重要的。这种超薄硅膜的各向异性腐蚀技术，包括有机溶液EPW和无机溶液KoH及KoH IPA(异丙醇)。从腐蚀速率、腐蚀表面质量、腐蚀停特性、腐蚀边缘形貌及腐蚀工艺的角度分析比较了两种腐蚀系统，分别制作出了约1μm厚的平整超薄硅膜，并研究了不同掩膜材料在腐蚀液中的抗蚀性，为高灵敏度红外探测器的制作奠定了工艺基础。