反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究

以ＳＦ６／Ｎ２混合气体对Ｓｉ反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法：在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络该当建立干法刻蚀仿真模型,可以预测绘定射频功率、总气流量下刻蚀速率和纵横比,并且以仿真实验数据训练模型学习,模型具有通用性,与设备无关。     

ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟

以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ＥＣＲ Ｐｌａｓｍａ ＣＶＤ）淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）关系的数学模型,此模型在给定气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）时所预测的成模折射率跟实验值符合得很好,为ＥＣＲ Ｐｌａｓｍａ ＣＶＤ淀积全介质光学膜的工艺打下坚     

GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究

采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga As刻蚀的刻蚀速率可达 40 0 nm/m in,Al As的刻蚀速率可达 35 0 nm/min,DBR的刻蚀速率可达 340 nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌 ,同时能够形成陡直的侧墙 ,侧墙的角度可达 85°.     

GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究

采用BCl3和Ar作为刻蚀气体对GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制.实验结果表明:在同样条件下GaAs刻蚀的速率高于DBR和AlAs,在一定条件下GaAs刻蚀的刻蚀速率可达400nm/min,AlAs的刻蚀速率可达350nm/min,DBR的刻蚀速率可达340nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌,同时能够形成陡直的侧墙,侧墙的角度可达85°.     

ECR Plasma CVD淀积介质膜的工艺模拟

以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ＥＣＲ Ｐｌａｓｍａ ＣＶＤ）淀积硅的氮、氧化物介质膜折射率ｎ与气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）关系的数学模型,此模型在给定气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（Ｓ９Ｈ４）时所预测的成膜折射率跟实验值符合得很好,该数学模型为ＥＣＲ Ｐｌａｓｍａ ＣＶＤ淀积全介质光学膜的工艺模     

ECR Plasma CVD淀积介质膜的工艺模拟

以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ＥＣＲ Ｐｌａｓｍ ａ ＣＶＤ）淀积硅的氮、氧化物介质膜折射率ｎ 与气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）关系的数学模型,此模型在给定气流配比Ｑ（Ｎ２ ）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）时所预测的成膜折射率跟实验值符合得很好,该数学模型为ＥＣＲ Ｐｌａｓｍ ａ ＣＶＤ淀积全介质光学膜的工艺模拟打下坚实的基础。     

ECR Plasma CVD淀积介质膜折射率的神经网络模拟

用人工神经网络方法对电子回旋共振等离子法化学气相沉积（ＥＣＲＰｌａｓｍａＣＶＤ）镀膜工艺建立了一个介质膜折射率ｎ关于气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）的数学模型．在给定气流配比Ｑ（Ｎ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）和Ｑ（Ｏ２）／Ｑ（ＳｉＨ４）时模型预测的成膜折射率与实验值符合得很好．