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采用传统固相法制备了Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Ni2/3W1/3)x(Zr0.495Ti0.505)0.95-xO3(PMS-xPNW-(0.95-x)PZT)四元系压电陶瓷,研究了NiW含量对PMS-xPNW-(0.95-x)PZT体系的相组成、微观结构、机电性能、温度稳定性的影响.结果表明随着NiW量的增加,物相中四方相含量逐渐减少,三方相含量逐渐增大;适量的掺杂使PMSZT频移变小;机电耦合系数Kp,K31的温度稳定性得到改善;并且提高了体系的机电性能. 相似文献
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用溶胶-凝胶法在NiTi形状记忆合金冷轧薄片基体上沉积铁电陶瓷PZT薄膜,再通过650℃烧结处理而得到NiTi/PZT复合材料,采用动态热机械分析方法测试了该复合材料及相同温度时效处理的NiTi形状记忆合金的内耗随温度及振动频率的变化曲线,比较了两种材料内耗曲线特征的差异;通过分析内耗曲线随温度、振动频率变化规律研究了材料的振动响应特性.结果表明:对于NiTi/PZT复合材料,响应振动载荷的能力相对于单纯NiTi形状记忆合金有明显改善,响应范围从10 Hz以内提高到33 Hz以内;tanδ-t曲线特征凸起峰高度值(材料的响应程度)从3%增加到5%,提高60%以上. 相似文献
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采用真空直流溅射法在PZT基体上沉积NiTi SMA薄膜,再经过晶化处理而制备出PZT基NiTi SMA/PZT复合材料.使用扫描电子显微镜观察复合材料试样的表面和界面组织结构.使用ZJ-3A型准态仪、Automatic LCR Meter4225测试复合材料的压电常数d33,机电耦合系数KP1,介电损耗tgδ,以考察NiTi SMA薄膜对PZT压电性能的影响.测试结果显示复合材料的压电常数d33,机电耦合系数KP相对于PZT均有提高,而介电损耗tgδ有小幅度降低.NiTiSMA薄膜与PZT基体之间的良好的界面结合结构及界面附近存在的源自膜/基材料间晶格差异的约束应力,有利于电偶极子的定向运动,保障了PZT基体压电性能的发挥. 相似文献
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为了扩展压电复合材料的应用领域,首先,通过固相合成法制备了0-3型聚偏氟乙烯(PVDF)/Pb(Zn1/3Nb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3 (PZNZT)压电复合材料;然后,研究了PVDF含量对PVDF/PZNZT复合材料物相、显微结构及性能的影响。结果表明:PZNZT陶瓷粉料与PVDF粉料混合后,其平均粒度接近于纯PVDF粉料的。于220℃下烧结后, PVDF/PZNZT复合材料在XRD谱图中主要显现出PZNZT钙钛矿结构的衍射峰。当PVDF含量较低时, PZNZT陶瓷晶粒间的结合较松散;随着PVDF含量的增加,陶瓷晶粒几乎都被PVDF相包围。因显微结构不同,不同PVDF含量的PVDF/PZNZT复合材料在极化电场中呈现出不同的串、并联电路。极化后, 5wt% PVDF/PZNZT复合材料的电性能最佳,其介电常数为116、介电损耗tan δ为0.04、压电常数为48 pC/N且机电耦合系数为0.28。随PVDF含量的增加, PVDF/PZNZT复合材料的居里温度降低,维氏硬度有所增加,但仍小于纯PZNZT压电陶瓷的硬度。所得结论显示PVDF/PZNZT压电复合材料的性能可以满足水声、电声及超声换能器等的要求。 相似文献
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为了能在降低PZT烧结温度的同时,提高其介电和压电性能,研究了不同含量PbO-WO3掺杂对PZT性能的影响.不同组成的试样在1100℃烧成,测试结果表明当PbO-WO3的含量为0.5%(摩尔分数,下同)时,晶粒致密均匀,为液相烧结;电性能在此处最佳ε33T/ε0=1227,d33=230 pC/N,Kp=0.437,Qm=1082,tanδ=0.017;随着含量的增加,居里温度降低. 相似文献
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PSN-PZN-PMS-PZT五元系压电陶瓷性能的研究 总被引:2,自引:1,他引:2
采用二次合成工艺得到了PSN—PZN—PMS—PZT五元系压电陶瓷。实验数据表明:组成在准同型相界处压电陶瓷的综合性能达最佳。在此基础上,分析组成在准同型相界处压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系。结果表明,在合成温度为860℃时可得到钙钛矿结构。烧结温度1260℃保温3h条件下,得到一种综合性能优良的压电材料。主要参数为:ε33^T/ε0=1390,tanδ=0.32%,d33=303pC/N,kp=55.1%,Qm=1180。定量Sr^2+、Ba^2+的加入使相界向富锆方向移动,性能参数为,ε33^T/ε0=1162,tanδ=0.30%,d33=307pC/N,kp=56.8%,Qm=1230。 相似文献
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PZT-PMN-BF高活性粉体及压电变压器的制备 总被引:1,自引:0,他引:1
以柠檬酸和乙二胺四乙酸为螯合剂,乙二醇为溶剂,通过溶胶凝胶法制备了一种满足压电变压器应用要求的0.9Pb(Zr0.53Ti0.47)O30.04Pb(Mn1/3Nb2/3)O30.06BiFeO3四元系压电陶瓷前驱体粉体。该粉体经650℃煅烧后呈钙钛矿结构,瓷体在1 020℃的低温下实现了致密烧结,材料的主要参数为:d31=-98.94×10-12C/N,d33=242×10-12C/N,K33=0.639,K31=0.303,Kp=0.535,Qm=1 880,能满足压电变压器的要求。开发的Rosen型压电陶瓷变压器使用100 MΩ负载在5 V的低电压驱动下,升压比能达到950倍以上。 相似文献
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研究了NiW含量对PMS-xPNW-(0.95-x)PZT体系的相组成、显微结构、电性能的影响.结果发现:900℃合成温度下可以制备出完全的PNW-PMS-PZT钙钛矿压电陶瓷.随着NiW含量的增加,物相由四方相和三方相共存的准同型相界处过渡到三方相,居里温度下降.1090℃的烧结温度下,x=0.01时,PMS-xPNW-(0.95-x)PZT陶瓷性能优良,ε33T/ε0=1560,tanδ=0.002,Kp=0.613,Qm=1275,d333=365 pC/N.谐振频率变化率随温度变化由正到负.该体系适用大功率压电材料. 相似文献