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使用双转子密炼技术制备了具有双连续相结构的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)/聚乙烯(PE)的热塑性聚烯烃(EVA/PE-TPO)和热塑性硫化胶(EVA/PE-TPV)材料,并利用扫描电子显微镜、Han曲线和vGP曲线对二者的相形貌进行了分析和表征。动态流变行为的结果表明,在低频区,EVA含量对EVA/PE-TPO材料体系的储能模量(G′)和复数黏度的影响均大于EVA/PE-TPV体系;在高频区,组成相同的两种体系的G′相近。当两相的组成比例相同时,时温等效原理适用于210℃以下的EVA/PE-TPV体系。修正Palierne模型对双连续相结构EVA/PE-TPV材料的线性黏弹性的拟合程度不高。 相似文献
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4.
高密度等离子体刻蚀已经广泛运用于深亚微米的微电子制造工艺中,并成为制约着产能及器件性能的关键步骤,因而有必要对等离子体刻蚀过程进行原位的实时监控.而利用传统的线性回归方法已经无法对包含有数目众多的变量的谱图数据进行实时分析了,必须采用新的数学模型,对原始数据进行压缩处理.本文结合实例讨论了目前在等离子体刻蚀系统中用到的诊断模型:主元素分析法以及神经网络法. 相似文献
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6.
非制冷红外成像技术已广泛应用于军事和民用领域,一直是人们关注的焦点之一,其核心部件是非制冷红外焦平面阵列(IRFPA:Infrared Focal Plane Array)。综述了几种具有代表性的非制冷IRFPA的探测原理、发展历史和现状。它们是:热敏电阻型、热释电型、热电堆型、二极管型、热-电容型非制冷IRFPA和应用光力学效应的非制冷IRFPA、基于法布里-珀罗微腔阵列的非制冷IRFPA。 相似文献
7.
X射线光刻掩模后烘过程的瞬态热分析 总被引:1,自引:0,他引:1
X射线光刻掩模是下一代光刻技术(NGL)中的X射线光刻技术的关键技术难点。在电子束直写后的掩模后烘过程中,掩模表面的温度场分布及温升的均匀性是影响掩模关键尺寸(CD)控制的重要因素,如果控制不当,会造成掩模表面的光刻胶烘烤不均匀,使掩模吸收体CD分布变坏。针对电子束直写后X射线光刻掩模的后烘过程建立了热模型,并采用有限元技术进行了瞬态温度场的计算。计算结果表明:采用背面后烘方式,在达到稳态时出现高温区和低温区,最大温差为10.19℃,容易造成光刻胶局部烘烤过度,而采用正面后烘方式,掩模达到稳态的时间短,温度分布均匀,烘烤效果好。 相似文献
8.
带有热沉结构的全镂空光读出红外焦平面阵列 总被引:1,自引:1,他引:1
A substrate-free optical readout focal plane array(FPA) operating in 8-12μm with a heat sink structure (HSS) was fabricated and its performance was tested.The temperature distribution of the FPA with an HSS investigated by using a commercial FLIR IR camera shows excellent uniformity.The thermal cross-talk effect existing in traditional substrate-free FPAs was eliminated effectively.The heat sink is fabricated successfully by electroplating copper,which provides high thermal capacity and high thermal conductivity,on the frame of substrate-free FPA. The FPA was tested in the optical-readout system,the results show that the response and NETD are 13.6 grey/K(F / # = 0.8) and 588 mK,respectively. 相似文献
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