磁头铁芯片的光刻工艺

光刻即光化学蚀刻,也叫做化学切削。在未提出这种加工磁头铁芯片的方法之前,多半采用高频电流线切割甚至机械冲切的方法。由于这些方法加工的铁芯片不同程度地存在着内应力或毛刺,影响磁头频率特性和输出幅度的提高。采用光刻则可以克服这些缺点,提高磁头性能。本文将介绍光刻磁头铁芯片的工艺过程,包括照相底图和照相底版的制作、抗蚀图像的形成,化学蚀刻等。     

从无序到共生--中共佛山市委党校改扩建设计

章介绍了中共佛山市委党校改扩建工程的设计，探索对改扩建工程的设计创作方法。通过对无序零散空间的整合，创造适宜的互动空间，利用建筑的联系，空间的呼应，表达对历史的记忆和与环境的共生。     

VMOS—一种新的MOS集成电路工艺

叙述了一种新的V型槽MOS集成电路工艺(VMOS)。这种工艺是利用硅的选择蚀刻原理来确定MOS晶体管的沟道。整个制作过程包括三次或四次掩蔽工序,并且利用这种工艺能够形成硅栅或者普通金属栅晶体管。这种工艺在要求不高的对准误差条件下,产生非常短的沟道。除了沟道短而外,VMOS晶体管的输出电导要比普通MOS晶体管小,而击穿电压更高。 介绍了VMOS晶体管的一阶理论,并对不同沟道长度的器件进行了测量。也介绍了运用这种工艺制作的某些集成电路,其中包括R—S触发器和27级戽斗式移位寄存器。讨论了在这些应用中VMOS的优点。     

用于核磁共振仪的高雷型匀场线圈的设计和制造

用高雷(Golay)型印制匀场线圈提高核磁共振谱仪的分辨率,在国外属于专利.在国内条件下研制这种类型的匀场线圈尚属首次.所研制的高雷匀场线圈板,采用印制工艺,共有13组线圈,它们是Z~0,Z,Z~2,Z~3,X,Y,XZ,YZ,XZ~2,YZ~2,X~2-Y~2,XY,Z~4.匀场板的总厚度可做到0.7毫米,薄于同类国外匀场板的厚度(≥1.5毫米).用5毫米样品管,在宽气隙(28毫米)电磁铁和窄气隙(13毫米)永久磁铁上进行磁场均匀实验,可以把磁场的固有均匀度(即谱仪的基础分辨)从8×10~(-7)提高到5×10~(-9),线型优于4%,旋转边带小于2%.本文对近几年的研制工作,从设计、制造和实验等方面进行总结.     

聚四氟乙烯基材孔金属化前处理新工艺的研究

本重点研究了一种聚四氟乙烯（ＰＴＦＥ）基材印制板的孔金属化前处理的新工艺，该工艺操作简单、安全、方便，可大幅提高聚四氟乙烯基材孔金属化的一次合格率。解决了长期困扰困扰多数印制板厂家孔化聚四氟乙烯基材的难题，具有十分重要的实用价值。