高纯度LiNbO_3晶体激光损伤的理论计算

本文阐述了高纯度LiNbO_3晶体激光损伤的机制,指出由于该晶体的铁电性,当被较强激光照射时其自发极化强度的改变本质上导致了光束内双折射率的变化,而促使其自发极化强度改变的因素是光、热电离以及与之具有同等意义的热释电效应,同时建立了计算这种光损伤的公式: △n_3=-f_(33)n_3~3p(N_t-n_(t∞)){1-exp[-(A_(11)+B_(21)C_1)t]} 并求解了高纯度LiNbO_3样品光损伤的最大稳态值(-2.47×10~(-3))。结果表明,我们的工作与人们公认的事实基本相符。     

磁光旋转谱和磁圆二向色性谱测量

本文描述了磁光旋转谱和磁圆二向色性谱测试装置的基本特性,用该装置测量了(BiTm)_3(FeGa)_5O_(12)薄膜磁光旋转θ的实部θ′和虚部θ″与光波长λ的关系,不同λ情况下YIG单晶的θ′与磁场强度H 的关系。讨论了测试结果,分析了测量误差。指出用磁光诃制倍频法测量磁光旋转谱和磁圆二向色性谱基本上不受激光源幅度变化和光路中其他元器件不稳定因素的影响,在λ=0.65～2.7μm 范围内,测量θ′的重复精度可达±0.005°。