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为了研究薄膜硅光伏组件在高电压下的绝缘失效机制,建立了一个薄膜硅组件的漏电通道模型,并定量测试组件在湿热(damp heat,DH)实验前后各漏电通道的绝缘电阻,采用了独特的措施来避免各漏电通道之间的相互干扰,获得了较准确的结果.在DH实验之前,组件边缘的绝缘电阻比前后玻璃高20倍至2个数量级,前后玻璃处的漏电决定了组件绝缘性能.经过1 000h的DH实验之后,边缘绝缘电阻大幅下降约2个数量级,成为小面积(300 mm×300 mm)组件绝缘性能的决定性因素,但是在大面积(1300mm ×1 100 mm)组件中,前后玻璃在很多情况下仍是组件漏电流的主要通道. 相似文献
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