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Zinc oxide(ZnO) has a wide band gap, high stability and a high thermal operating range that makes it a suitable material as a semiconductor for fabricating light emitting diodes(LEDs) and laser diodes, photodiodes, power diodes and other semiconductor devices. Recently, a new crystal growth for producing ZnO crystal boules was developed, which was physical vapor transport(PVT), at temperatures exceeding 1500 ?C under a certain system pressure. ZnO crystal wafers in sizes up to 50 mm in diameter were produced. The conditions of ZnO crystal growth, growth rate and the quality of ZnO crystal were analyzed. Results from crystal growth and material characterization are presented and discussed. Our research results suggest that the novel crystal growth technique is a viable production technique for producing ZnO crystals and substrates for semiconductor device applications. 相似文献
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本文阐述了灰色模型 GM(1,1)-E 的建模原理.该模型具有所需数据少和适用范围广的优点,据此建立了桑蚕茧和生丝产量的预测模型。 相似文献
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本文介绍了采用微机对锥形罐啤酒发酵的控制过程。以此为例对工业现场如何提高工控的可靠性进行了探讨,并有自己独到的见解。 相似文献
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采用热丝化学气相淀积生长法,在Si衬底上外延生长3C-SiC薄层获得成功,生成源为CH4+SiH4+H2混合气体,热丝温度约为1800-2000℃,碳化和生长时底温度低于1000℃,用X射线衍射,变角椭偏法等分析手段研究了外延层的晶体结构和光学常数,X射线衍射结果显示出3C-SiC薄层的外延生长特征,变角椭偏法测量出外延层的折射率为2.686,光不常数随深度变化曲线表明薄层结构分布衬底晶向有关。 相似文献
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采用HFCVD技术,通过两步CVD生长法,以较低生长温度,在Si(111)和Si(100)衬底上同时外延生长3C-SiC获得成功.生长源气为CH4+SiH4+H2混合气体,热丝温度约为2000℃,碳化和生长时基座温度分别为950℃和920℃,用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)等分析手段研究了外延层的晶体结构、组分及化学键能随深度的变化.XRD结果显示出3C-SiC薄层的外延生长特征,XPS深度剖面图谱表明薄层中的组分主要为Si和C,且Si/C原子比符合SiC的理想化学计量比,其三维能谱曲线进一步证明了外延层中Si2p和与Cls成键形成具有闪锌矿结构的3C-SiC. 相似文献
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将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化,坩埚壁石自在熔解于硅熔体中成碳饱和的硅熔体,在石墨形形成SiC多晶薄层并通过改变工艺条件使薄层变厚形成厚约0.5mm的SiC多晶薄片,X射线衍射(XRD),Raman散射等分析表明所制备样品为3C-SiC多晶体,采用He-Cd激光325mm线在不同温度下对实现样品进行了光致发光(PL)测试分析,PL实验结果表明随着温度的变化,PL发光中心发生蓝移,其中心由2.13eV移至2.39eV. 相似文献
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