半导体材料表面光洁度对光吸收表观值的影响

我们采用光声室和压电陶瓷两种检测方式,分别研究了N型单晶锗和硅两种材料表面光洁度对10.6微米光吸收表观值的影响.结果表明,对于弱吸收的材料,随着材料表面光洁度变差,光吸收表观值明显增加,而对于光吸收较强的材料,随着表面光洁度变差,光吸收表观值反而明显减少.     

用光热光偏转方法测量材料的红外吸收系数

用简单的超高灵敏度光热光偏转方法研究GaAs、NaCl、N型单晶Ge和Si等材料在10.6/μm的吸收特性,测得以上几种材料的吸收系数。实验结果与国内外报道符合得较好。     

InGaAs的电调制反射谱及其组份分析

本工作采用电解液电调制反射谱技术,对n型InGaAs外延片进行了研究.从所测得的光谱中,利用三点法计算出了临界点跃迁能量E_0、E_1,自旋轨道分裂△_0、△_1和线宽参数Γ_0、Γ_1,还研究了临界点能量E_1与含金组分x的关系.所得结果均与国内外报道的理论和实验值符合得较好.     

高炉喷煤系统技术改造

通过对天铁冶金集团有限公司2#高炉喷煤系统技术改造过程中有关问题的解决进行分析,提出对喷煤技术发展方向的见解。     

硅的电调制反射谱的研究

本工作采用电解液电调制反射(EER)谱技术,对N型硅外延片进行了研究,不仅测得了E′_0峰,还成功地测得了E′_1峰和E_2峰。同时,在直流偏压、交流调制电压、调制频率及溶液浓度等方面对半导体-电解液接触层的形成及性质作了初步的探讨。采用传统的EER谱的实验装置,所不同的是将卤钨灯作为光源,并把二极管作为光电倍增管的负载,以获得ΔR/R的比值,这就省去了复杂的氙灯电源及伺服系统。     

天铁5号高炉出铁场电除尘系统的设计与生产实践

对天铁5号高炉出铁场烟尘排放的现状以及出铁场烟尘的特点进行了分析。针对出铁过程中产生的烟尘难以控制的特点，提出了用电除尘器收集二次烟尘的方案，实施后取得了较好的生产效果。     

光声信号与光束在样品上照射位置关系的研究

我们采用压电陶瓷作为光声探测器,研究了单晶硅在10.6μm的光吸收产生的光声信号与光束在样品上照射位置的关系。实验表明,当光束沿着圆形样品的直径扫描,光束照射在两侧时,光声信号随照射位置离开中心距离的加大而减小,与我们进行的理论计算符合得较好。     

光声室低频特性的研究

本文采用气体光声室检测方法,研究了在较低的斩波频率(低于500Hz)下,半导体材料硅、锗、砷化镓和碲化镉的光声频率特性,得出了改进的高灵敏度光声室光声信号的理论表达式,给出了R-G理论的修正项,其理论计算和实验结果符合得较好。     

MoS_2激子效应的压电光声研究

本文首先利用光声压电法,研究了MoS_2单晶在540-740nm波段的室温本征吸收边的光声吸收光谱,得到了在2.0eV附近的A、B两个强激子的吸收峰及杂质峰A,与以前报道的用透射光谱法测得的吸收谱及光电流谱的结果一致.     

光热辐射光谱探测灵敏度的研究

着重讨论了光热辐射光谱(PTR)技术的探测灵敏度问题,用该方法测量了Cu_2O和GaAs两种材料的吸收边。测出Cu_2O的吸收边在631.5nm和641.0nm处明显有两个拐点,但用于GaAs基本吸收边测量时,其信号约比Cu_2O的信号小一个数量级。分析指出,当所选红外探测器的响应波长范围刚好与被研究材料的红外强辐射带一致时,可大大提高PTR的探测灵敏度。