193nm光刻胶的研制

从主体树脂的结构设计、单体的合成工艺、主体树脂的合成工艺、光致产酸剂的评价、配方研究等多个方面论述了193nm光刻胶的研制工艺，合成出了多种适用的单体及多种结构的主体树脂，进行了大量的配方研究，筛选出了最佳配方．研制出的样品经美国SEMATECH实验室应用评价其最佳分辨率为0．1μm，最小曝光量为26mJ／cm^2，不但具有优异的分辨率和光敏性，而且还具有良好的粘附性和抗干法腐蚀性．     

248nm深紫外光刻胶

本文从化学增幅技术的产生，深紫外248nm胶主体树脂及PAG发展历程、溶解抑制剂、存在的工艺问题及解决途径多个方面综述了深紫外248nm胶的发展与进步．     

SEMI工艺化学品标准系统分析

现代化生产有两大基本特征 ,一是大量采用先进的科学技术 ,二是生产高度社会化。以电子行业集成电路芯片制作为例 ,近年来采用了大量的最新科学技术 ,使集成电路的生产不仅速度越来越快 ,产品质量也不断提高 ,以惊人的速度向前发展 ,成为衡量一个国家现代化水平的重要标志。同时电子行业又是生产高度社会化的行业 ,需要许多行业协调配合才能保持正常生产。任何一个微小环节的问题 ,都可能导致生产出现严重的问题。而为实现技术和管理的高度协调和统一 ,就必须制定并严格执行各项标准 ,使相关的各个环节有机的联系在一起形成整体 ,也就是说标…     

硫酸双氧水型超粗化剂BTH-2066的开发及在精细线路图形制作中的应用

介绍了新一代H2SO4/H2O2体系超粗化剂BTH-2066的工作原理、工艺及其在精细线路图形制作中的应用。BTH-2066超粗化处理过的铜表面成均匀的蜂窝状,显著地增大了铜箔表面积,为干膜、湿膜有着良好的粘合力提供了强有力保证。传统的H2SO4/H2O2体系化学清洗只对铜面有初步的清洁作用,铜面呈现半光亮或光亮状,铜面微观粗糙度低,对于3mil/3mil及以下的精细线路,很容易因粘附力不足而产生线路图形的缺陷,影响做板良率。BTH-2066超粗化具有稳定可控的微蚀速率,极佳的超粗化微蚀面,彻底地解决了铜面与干膜、湿膜之间机械粘合力的问题,可降低线路不良比率,增加细线路制作能力。BTH-2066超粗化是高精密线路制作化学前处理的首选工艺。     

膜去溶剂化进样ICP-MS法直接测定电子级高纯过氧化氢中痕量金属杂质

用ARIDUS膜去溶剂化进样器，在ICP－MS的标准状态（STD）和冷焰状态（PS）测定电子级高纯过氧化氢中的34个痕量金属杂质，用铟作内标可补偿基体效应，方法检出限为0．1－70ng/L，加标回收率为90％－110％，长时间相对标准偏差（RSD）小于5％，ICP－MS测定结果与ICP光谱测定结果基本一致，ICP－MS提高了分析的准确性和工作效率。     

超疏水自洁涂料研究进展

介绍了超疏水表面的定义和自洁的工作原理,总结了超疏水表面的制备方法,重点讨论了超疏水自洁涂料的耐久性问题,并指出超疏水自洁涂料未来的研究方向。     

膜去溶进样ICP-MS法测定电子级高纯盐酸中痕量金属杂质

Determination of thirty four trace metal elements in electronic high purity hydrochloric acid by ICP-MS (Standard Condition, Plasma Screen Condition) with membrane desolvation was described. Matrix effects were compensated by adding rhodium as the internal standard. Detection limits is 0.1 to 100 ng/L; the recovery of the method is 90%-110%. Long term RSD was less than 5%. The results from ICP and ICP-MS are correspondent. ICP-MS improves the accuracy and efficiency of analyses.     

ULSI用193nm光刻胶的研究进展

从193nm光刻胶的各个组分,如:主体树脂、光致产酸剂、溶解抑制剂、碱性添加剂以及存在的问题和解决途径等多个方面综述了193nm深紫外光刻胶的发展与现状。     

高玻璃化温度化学增幅光致抗蚀剂的制备

本文合成了一种具有高玻璃化温度的苯乙烯和Ｎ－（４－羟基苯基）马来酰亚胺的共聚体,并将其应用于紫外负性水型化学增幅抗蚀剂中,并初步确定了该光致抗蚀剂的光刻工艺操作条件,得到了分辨率为１．３９μｍ的光刻图形．