水热电耦合法制备BaZrO_3薄膜

本研究采用水热电耦合方法合成了BaZrO3薄膜。首先通过阴极放电等离子体(HCD-IP)在Si基片上沉积氮化锆(ZrN)薄膜,接着将包覆ZrN的Si基片侵入到水热电耦合装置中,其混合溶液为Ba(CH3COO)2和NaOH,在90℃的温度下工作1～15h。结果表明,在ZrN/Si基片上成功合成了立方BaZrO3薄膜。BaZrO3薄膜在ZrN上的生长速率比在块体Zr上的生长速率快,BaZrO3薄膜展示出纳米层结构,其厚度在15h后可达到2μm。本文讨论了溶液的反应温度和反应时间对薄膜形貌和厚度的影响。     

添加CeO2对原位反应制备ZTM复相陶瓷的影响

以氧化铝和锆英石超细粉为主要原料，添加一定量的CeO2，采用原位反应烧结法制备了ZTM复相陶瓷。借助XRD、SEM分析了其显微结构，结果表明：当CeO2含量为2．4％时能得到结构较为致密、力学性能较好的ZTM复相陶瓷。     

采用Cu／Ti过渡层沉积金刚石薄膜刀具的界面结构

研究了硬质合金基底上Cu／Ti作过渡层化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜的界面特性。利用激光Ra—man谱分析了过渡层不同生长阶段金刚石薄膜的质量的影响。采用SEM、EDS对金刚石薄膜硬质合金刀具横截面的结构进行了研究。结果表明：基体中的Co被Cu／Ti作过渡层有效的抑制住；Cu向基体内的扩散改善了基体的性能，提高了界面层金刚石薄膜的质量；Ti的引入促进了金刚石的形核，减少了界面处晶粒间的空隙，提高了金刚石薄膜与基体表面的实际接触面积。     

Cu和Cu/Ti过渡层对金刚石薄膜附着力的影响

研究了硬质合金基底上采用Cu和Cu／Ti作过渡层CVD金刚石薄膜的附着力。XRD研究了金刚石薄膜的成分和结构，激光Raman谱和洛氏硬度计评价了金刚石薄膜的质量和附着力。结果表明，在Cu过渡层中引入Ti，由于Ti向生长面的扩散，促进了金刚石的二次晶核，导致晶粒细化。在沉积初期，晶粒细化也提高了金刚石薄膜与基体表面的实际接触面积。微晶金刚石有利于提高薄膜的附着力和抗冲击韧性。     

Cd1-xMnxS纳米棒的水热合成及光谱性能

采用水热法成功合成了Cd1-xMnxS(x=0～0.05)纳米棒.采用扫描电镜、X射线衍射和Raman光谱表征Cd1-xMnxS的形貌和微结构,通过紫外光谱和荧光光谱表征其光学特性.结果表明:随着Mn2 含量的增加,Cd1-xMnxS纳米棒直径基本保持不变,但长度变短,形貌变得较杂乱,并且伴随产生颗粒.Mn2 掺杂CdS纳米棒保持了六方CdS结构,Mn2 在CdS纳米棒晶体中代替部分CA2 的位置构成置换式固溶体.Cd1-xMnxS纳米棒的紫外吸收光谱和荧光光谱都随Mn2 含量的增加而逐渐红移.     

采用Cu/Ti过渡层沉积金刚石薄膜刀具的界面结构

研究了硬质合金基底上Cu/Ti作过渡层化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜的界面特性.利用激光Raman谱分析了过渡层不同生长阶段金刚石薄膜的质量的影响.采用SEM、EDS对金刚石薄膜硬质合金刀具横截面的结构进行了研究.结果表明:基体中的Co被Cu/Ti作过渡层有效的抑制住;Cu向基体内的扩散改善了基体的性能,提高了界面层金刚石薄膜的质量;Ti的引入促进了金刚石的形核,减少了界面处晶粒间的空隙,提高了金刚石薄膜与基体表面的实际接触面积.     

硬质合金上采用Cu和Cu/Ti过渡层沉积金刚石薄膜的形核分析

采用Cu和Cu/Ti作过渡层研究了硬质合金基底上金刚石薄膜的形核生长。Cu/Ti作过渡层明显的提高了金刚石在硬质合金基底上的形核密度。用扫描电子显微镜和激光Raman谱研究了金刚石薄膜的形核形貌和质量 ,并对形核差异的原因作了初步的探讨。     

热喷涂纳米陶瓷涂层的应用

采用热喷涂技术制备纳米结构涂层是构筑纳米结构材料最具前途的方法之一,本文综述了热喷涂陶瓷涂层材料的性能、制备方法及应用方面的研究现状,并对热喷涂纳米陶瓷涂层面临的问题及研究的发展趋势进行了讨论。     

碳纳米管对Cr~(3+)吸附性能的影响

采用纯化的碳纳米管进行Cr3+的吸附实验,并探讨可能的吸附机理。结果表明:纯化了的碳纳米管对Cr3+的吸附性能优于原始的碳纳米管,比较适合用Freundlich方程描述,这为碳纳米管在金属离子吸附方面的研究提供了基础数据。